|
Поиск по сайту: |
|
По базе: |
 |
| Главная страница > Обзоры по типам | |||||||||
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Детальная информация о IGBT-модулях семейства SEMITRANS: особенности, обозначение, рекомендации по применению, аксессуарыОтличительные особенности:
Система обозначения типа модуля:
Названия рисунков в файлах *.pdf Для IGBT-модулей SEMITRANS следующих серий: SKM...126D, SKM...128D, SKM...176D Рисунок 1 - Непрерывный ток коллектора Ic, как функция напряжения коллектор-эмиттер Vce (типичные выходные характеристики) для температуры перехода Tj= 25°C и Tj = 125°C, параметр: напряжение затвор-эмиттер Vge Рисунок 2 - Максимальный номинальный непрерывный постоянный ток коллектора Ic, как функция температуры корпуса Рисунок 3 - Типичное рассеивание энергии при включении Eon и выключении Eoff IGBT-элемента и рассеиваемая энергия при выключении свободного диода, как функция непрерывного тока коллектора Ic для индуктивной нагрузки Рисунок 4 - Типичное рассеивание энергии при включении Еon и выключении Еoff IGBT-элемента и рассеиваемая энергия при выключении свободного диода, как функция последовательного сопротивления затвора Rg для индуктивной нагрузки Рисунок 5 - Типичная передаточная характеристика: ток коллектора Ic, как функция напряжения затвор-эмиттер Vge Рисунок 6 - Типичная характеристика заряда затвора: напряжение затвор-эмиттер Vge, как функция заряда затвора Qg Рисунок 7 - Типичные временные характеристики IGBT tdon, tr, tdoff и tf, как функция непрерывного тока коллектора для индуктивной нагрузки и фиксированного последовательного сопротивления затвора Rg для Tj = 125°C Рисунок 8 - Типичные временные характеристики IGBT tdon, tr, tdoff и tf, как функция последовательного сопротивления затвора Rg для индуктивной нагрузки и неизменяющегося тока коллектора Ic, Tj = 125°C Рисунок 9 - Переходное тепловое сопротивление Zthjc IGBT-элемента, как функция времени t (один импульс), исчисляемого с момента скачкообразного изменения рассеиваемой мощности в течение длительности импульса tимп (параметр: коэффициент заполнения периода импульсов D) для f < 3 кГц Рисунок 10 - Переходное тепловое сопротивление ZthjcD инверсного диода, как функция времени t (один импульс), исчисляемого с момента скачкообразного изменения рассеиваемой мощности в течение длительности импульса (параметр: коэффициент заполнения периода импульсов D) для f < 3 кГц Рисунок 11 - Прямые характеристики инверсного диода (типичное и максимальное значения) для Tj=25°C и Tj=125°C Рисунок 12 - Типичный максимальный восстанавливающийся ток IRRM инверсного диода, как функция скорости спада прямого тока dif/dt с соответствующим последовательным сопротивлением затвора Rg IGBT-транзистора в процессе включения Рисунок 13 - Типичный заряд переключения Qrr инверсного диода, как функция от скорости спадания прямого тока dif/dt (параметры: прямой ток If и последовательное сопротивление затвора Rg IGBT-транзистора при включении) Рекомендации по применению Защита от электростатических разрядов IGBT-модули SEMITRANS - устройства, чувствительные к электростатическим разрядам. За исключением модулей SEMITRANS 6/7, у всех остальных модулей предусмотрена защита от электростатических разрядов, которая представляет собой проводниковое соединение между клеммами затвора и эмиттера. Данное соединение должно оставаться незатронутым до подключения драйвера. Сборка модуля должна выполняться квалифицированным персоналом, носящих заземленные браслеты для защиты от электростатического напряжения, на заземленных автоматизированных рабочих местах. Инструкции по монтажу В целях гарантирования хорошего теплового контакта и поддержания значений теплового контактного сопротивления на уровне, указанном в документации, поверхность контакта теплоотвода необходимо очистить и удалить частицы пыли, а также выполнить следующие требования:
Перед установкой на теплоотвод основание модуля или контактную поверхность теплоотвода равномерно покрывают тонким слоем (приблизительно 50 мкм) теплопроводящей пасты, например, Wacker-Chemie P 12 (на основе кремния, тюбики по 30 грамм: идентификационный номер SEMIKRON 30106620). Для равномерного распределения пасты рекомендуется использовать валик из жесткого каучука или технологию трафаретной печати. Для защиты IGBT-модулей SEMITRANS настоятельно рекомендуется использовать или стальные винты M6 (DIN, класс 4.8) в сочетании с подходящего типоразмера шайбами и пружинными шайбами или комбинацию винтов. Во время монтажа необходимо соблюдать значение монтажного вращающего момента, приведенного в документации.Винты необходимо затягивать в диагональном порядке с эквивалентным усилием за несколько подходов до достижения заданного в документации вращающего момента M1. Кроме того, по истечении нескольких часов рекомендуется выполнить повторное затягивание в соответствии с заданным значением вращающего момента, т.к. теплопроводящая паста может дать осадку под действием монтажного давления. Для подключения к электрическим клеммам необходимо использовать соответствующие винты, шайбы и пружинные шайбы или комбинацию винтов. При затягивании винта необходимо соблюдать значения вращающего момента M2, приведенного в документации. В процессе пайки плоских вставных разъемов (с использованием заземленного паяльного инструмента) необходимо соблюдать температуру пайки 235 ± °C в течение не боле 5 секунд. Модули SEMITRANS 6/7 могут паяться в ванночке проточным припоем. Силовые клеммы По возможности необходимо использовать пластинчатые соединители (шинопроводы) для подключения к силовым клеммам в цепи постоянного тока. В этом случае привносится минимальная паразитная индуктивность, которая в свою очередь гарантирует минимум выбросов напряжения при коммутации. В большинстве приложений рекомендуется на клеммах постоянного тока (коллектор верхнего IGBT/эмиттер нижнего IGBT) использовать импульсные конденсаторы с малой собственной индуктивностью (MKP,MKT, ... 0.22 мкФ ...1 мкФ), что позволяет предотвратить паразитные колебания. Подключение сигналов управления Все кабели управления должны быть кабелями со скрученными проводниками и минимально возможной длины, что необходимо для минимизации паразитной индуктивности и исключения колебаний и электромагнитных излучений. Компания SEMIKRON рекомендует использовать драйверы SEMIDRIVER. Аксессуары для монтажа SEMIKRON предлагает стандартный набор аксессуаров (идентификационный номер 33321100) для 10 модулей SEMITRANS 2, 2NI, 3 и 4 или для 4 модулей SEMITRANS 6 или 7. Содержимое:
 Главная - Микросхемы - DOC - ЖКИ - Источники питания - Электромеханика - Интерфейсы - Программы - Применения - Статьи |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
