Дискретные IGBT с напряжением 900-1200 вольт

Типономинал	Корпус	Схема	Скорость переключения	Vces [B]	Vce(on)[B]	Ic@25C[A]	Ic@100C [A]	PD
IRG4BH20K-L	TO-262	DISCRETE	ULTRAFAST 4-20 kHz	1200	3.17	11	5	60
IRG4BH20K-S	D2-Pak	DISCRETE	ULTRAFAST 4-20 kHz	1200	3.17	11	5	60
IRG4PF50W	TO-247AC	DISCRETE	WARP 20-100 kHz	900	2.7	51	28	200
IRG4PH20K	TO-247AC	DISCRETE	ULTRAFAST 4-20 kHz	1200	4.3	11	5	60
IRG4PH30K	TO-247AC	DISCRETE	ULTRAFAST 4-20 kHz	1200	4.2	20	10	100
IRG4PH40K	TO-247AC	DISCRETE	ULTRAFAST 4-20 kHz	1200	3.4	30	15	160
IRG4PH40U	TO-247AC	DISCRETE	ULTRAFAST 5-40 kHz	1200	3.5	30	15	160
IRG4PH50K	TO-247AC	DISCRETE	ULTRAFAST 4-20 kHz	1200	3.5	45	24	200
IRG4PH50S	TO-247AC	DISCRETE	DC-1 kHz (STANDARD)	1200	1.7	57	33	200
IRG4PH50U	TO-247AC	DISCRETE	ULTRAFAST 5-40 kHz	1200	3.7	45	24	200
IRG4PSH71K	TO-274AA	DISCRETE	ULTRAFAST 4-20 kHz	1200	3.9	78	42	350
IRGP20B120U-E	TO-247AC	DISCRETE	ULTRAFAST 5-40 kHz	1200	3.45	40	20	300
IRGPS40B120U	TO-274AA	DISCRETE	ULTRAFAST 8-25 kHz	1200	3.5	80	40	595

Vces (Maximum IGBT Breakdown Voltage) - максимальное напряжение пробоя IGBT

Vce(on) (Collector-to-Emitter Saturation Voltage) - напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Ic (Continuous Collector Current) - продолжительный ток коллектора

PD (Power Dissipation) - рассеиваемая мощность

---

---

Главная - Микросхемы - DOC - ЖКИ - Источники питания - Электромеханика - Интерфейсы - Программы - Применения - Статьи