Повышенной надежности n-канальные SEE Hard Power MOSFETs на напряжение 100-200 В
| Типономинал |
Корпус |
Схема |
Полярность |
BVDSS |
Rds(on) @ 25°C (pre-Irradiation) |
ID @ 25°C |
ID @ 100°C |
Total Dose |
Мощность рассеяния |
 IRH7250SE |
TO-204AE |
DISCRETE |
N |
200 |
0.1 |
26 |
16 |
100 |
150 |
| IRHE57133SE |
18-pin LCC |
DISCRETE |
N |
130 |
0.10 |
9 |
5.7 |
100 |
25 |
| IRHF57133SE |
TO-205AF |
DISCRETE |
N |
130 |
0.1 |
10.5 |
6.5 |
100 |
25 |
| IRHF57230SE |
TO-205AF |
DISCRETE |
N |
200 |
0.24 |
7.0 |
4.5 |
100 |
25 |
| IRHM57260SE |
TO-254AA |
DISCRETE |
N |
200 |
0.044 |
35 |
35 |
100 |
250 |
| IRHM7250SE |
TO-254AA |
DISCRETE |
N |
200 |
0.10 |
26 |
16 |
100 |
150 |
| IRHN57250SE |
SMD-1 |
DISCRETE |
N |
200 |
0.060 |
31 |
19 |
100 |
150 |
| IRHN7250SE |
SMD-1 |
DISCRETE |
N |
200 |
0.1 |
26 |
16 |
100 |
150 |
| IRHNA57163SE |
SMD-2 |
DISCRETE |
N |
130 |
0.0135 |
75 |
62 |
100 |
300 |
| IRHNA57260SE |
SMD-2 |
DISCRETE |
N |
200 |
0.038 |
55 |
35 |
100 |
300 |
| IRHNJ57133SE |
SMD-0.5 |
DISCRETE |
N |
130 |
0.08 |
20 |
12.5 |
100 |
75 |
| IRHNJ57230SE |
SMD-0.5 |
DISCRETE |
N |
200 |
0.22 |
12 |
7.8 |
100 |
75 |
| IRHY57133CMSE |
TO-257AA |
DISCRETE |
N |
130 |
0.09 |
18 |
12 |
100 |
75 |
| IRHY57230CMSE |
TO-257AA |
DISCRETE |
N |
200 |
0.23 |
12 |
7.8 |
100 |
75 |
- BVDSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток
- Rdson@25°C (pre-Irradiation) (Static Drain-to-Source On-Resistance) -максимальное нормированное сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком до облучения при температуре 25 °C
- N-channel и P-channel, соответственно N-канальный и P-канальный
- ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока
- Total Dose - кумулятивная доза облучения
|
