Поиск по сайту:

 


По базе:  

микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > International Rectifier

реклама

 




Мероприятия:




Повышенной надежности n-канальные Hi-Rel SEE Hard Power MOSFETs на напряжение 400 В

Типономинал Корпус Схема Полярность BVDSS Rds(on) @ 25°C (pre-Irradiation) ID @ 25°C ID @ 100°C Total Dose Мощность рассеяния
IRHF7310SE TO-205AF DISCRETE N 400 4.5 1.15 0.7 100 15
IRHF7330SE TO-205AF DISCRETE N 400 1.2 3 1.9 100 25
IRHI7360SE TO-259AA DISCRETE N 400 0.2 24 15 100 300
IRHM7360SE TO-254AA DISCRETE N 400 0.2 22 14 100 250
IRHNA7360SE SMD-2 DISCRETE N 400 0.2 24 15 100 300
IRHNB7360SE SMD-3 DISCRETE N 400 0.2 24 15 100 300
IRHNJ7330SE SMD-0.5 DISCRETE N 400 1.2 5.3 3.4 100 75
JANSR2N7391 TO-254AA DISCRETE N 400 0.20 22 14 100 250
JANSR2N7465U3 SMD-0.5 DISCRETE N 400 1.2 5.3 3.4 100 75
BVDSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток
Rdson@25°C (pre-Irradiation) (Static Drain-to-Source On-Resistance) -максимальное нормированное сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком до облучения при температуре 25 °C
N-channel и P-channel, соответственно N-канальный и P-канальный
ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока
Total Dose - кумулятивная доза облучения
    Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы International Rectifier,

поставщики электронных компонентов






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (995) 900 6254. e-mail:info@eust.ru
©1998-2023 Рынок Микроэлектроники