Повышенной надежности n-канальные Hi-Rel SEE Hard Power MOSFETs на напряжение 500 В
| Типономинал |
Корпус |
Схема |
Полярность |
BVDSS |
Rds(on) @ 25°C (pre-Irradiation) |
ID @ 25°C |
ID @ 100°C |
Total Dose |
Мощность рассеяния |
 IRH7450SE |
TO-204AA |
DISCRETE |
N |
500 |
0.51 |
12 |
7 |
100 |
151 |
| IRHF7430SE |
TO-205AF |
DISCRETE |
N |
500 |
1.65 |
2.6 |
1.6 |
100 |
25 |
| IRHI7460SE |
TO-259AA |
DISCRETE |
N |
500 |
0.32 |
20 |
12 |
100 |
300 |
| IRHM7450SE |
TO-254AA |
DISCRETE |
N |
500 |
0.51 |
12 |
7 |
100 |
151 |
| IRHM7460SE |
TO-254AA |
DISCRETE |
N |
500 |
0.32 |
18 |
11.7 |
100 |
250 |
| IRHN7450SE |
SMD-1 |
DISCRETE |
N |
500 |
0.51 |
12 |
7 |
100 |
151 |
| IRHNA7460SE |
SMD-2 |
DISCRETE |
N |
500 |
0.32 |
20 |
12 |
100 |
300 |
| IRHNB7460SE |
SMD-3 |
DISCRETE |
N |
500 |
0.32 |
20 |
12 |
100 |
300 |
| IRHNJ7430SE |
SMD-0.5 |
DISCRETE |
N |
500 |
1.6 |
4.5 |
2.8 |
100 |
75 |
| JANSR2N7392 |
TO-254AA |
DISCRETE |
N |
500 |
0.32 |
18 |
11.7 |
100 |
250 |
| JANSR2N7466U3 |
SMD-0.5 |
DISCRETE |
N |
500 |
1.6 |
4.5 |
2.8 |
100 |
75 |
- BVDSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток
- Rdson@25°C (pre-Irradiation) (Static Drain-to-Source On-Resistance) -максимальное нормированное сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком до облучения при температуре 25 °C
- N-channel и P-channel, соответственно N-канальный и P-канальный
- ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока
- Total Dose - кумулятивная доза облучения
|
