Поиск по сайту:

 


По базе:  

микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > International Rectifier

реклама

 




Мероприятия:




Hi-Rel Standard Power MOSFET Multi-Chips фирмы IR

Типономинал Корпус Схема Полярность BVDSS Rds(on) @ 25C / N-channel Rds(on) @ 25C / P-channel ID @ 25°C N-channel ID @ 25°C P-channel ID @ 100°C (N) ID @ 100°C (P) Мощность рассеяния Total Dose
IRFG110 MO-036AB QUAD N N 100 0.7   1   0.6   1.4  
IRFG5110 MO-036AB Dual 2N / 2P 100 0.7 0.7 1 -1 0.6 -0.6 1.4  
IRFG5210 MO-036AB Dual 2N / 2P 200 1.6 1.6 0.68 -0.68 0.4 -0.4 1.4  
IRFG6110 MO-036AB Dual 2N / 2P 100 0.7 1.4 1 -.75 0.6 -0.5 1.4  
IRFG9110 MO-036AB QUAD P P 100   1.4   -.75   -0.5 1.4  
IRHG563110 MO-036AB Dual 2N / 2P 100 0.29 0.96 0.29 -0.96 1.0 -0.6 1.4 300
IRHG567110 MO-036AB Dual 2N / 2P 100 0.29 0.96 0.29 -0.96 1.0 -0.6 1.4 100
IRHG6110 MO-036AB Dual 2N / 2P 100 0.7 1.4 1 -.75 0.6 -0.5 1.4 100
IRHG63110 MO-036AB Dual 2N / 2P 100 0.6 1.1 1.0 -0.75 0.6 -0.5 1.4 300
IRHG7110 MO-036AB QUAD N N 100 0.6   1.0   0.6   1.4 100
IRHG7214 MO-036AB QUAD N N 250 2.25   0.5   0.3   1.4 100
IRHG8110 MO-036AB QUAD N N 100 0.6   1.0   0.6   1.4 1000
IRHG8214 MO-036AB QUAD N N 250 2.25   0.5   0.3   1.4 1000
IRHG9110 MO-036AB QUAD P P 100   1.1   -0.75   -0.5 1.4 100
IRHG93110 MO-036AB QUAD P P 100   1.1   -0.75   -0.5 1.4 300
IRHQ563110 28-pin LCC Dual 2N / 2P 100 0.29 0.98 4.6 -2.8 2.9 -1.8 12 300
IRHQ567110 28-pin LCC Dual 2N / 2P 100 0.27 0.96 4.6 -2.8 2.9 -1.8 12 100
IRHQ57110 28-pin LCC QUAD N N 100 0.27   4.6   2.9   12 100
IRHQ58110 28-pin LCC QUAD N N 100 0.29   4.6   2.9   12 1000
IRHQ593110 28-pin LCC QUAD P P 100   0.98   -2.8   -1.8 12 300
Типономинал Корпус Схема Полярность BVDSS Rds(on) @ 25C / N-channel Rds(on) @ 25C / P-channel ID @ 25°C N-channel ID @ 25°C P-channel ID @ 100°C (N) ID @ 100°C (P) Мощность рассеяния Total Dose
IRHQ597110 28-pin LCC QUAD P P 100   1.2   -2.8   -1.8 12 100
IRHQ6110 28-pin LCC Dual 2N / 2P 100 0.38 0.88 3.0 -2.2 1.9 -1.4 12 100
IRHQ63110 28-pin LCC Dual 2N / 2P 100 0.38 0.88 3.0 -2.2 1.9 -1.4 12 300
IRHQ7110 28-pin LCC QUAD N N 100 0.6   3.0   1.9   12 100
IRHQ8110 28-pin LCC QUAD N N 100 0.75   3.0   1.9   12 1000
IRHQ9110 28-pin LCC QUAD P P 100   1.1   -2.3   -1.5 12 100
IRHQ93110 28-pin LCC QUAD P P 100   1.1   -2.3   -1.5 12 300
JANTX2N7334 MO-036AB QUAD N N 100 0.7   1   0.6   1.4  
JANTX2N7335 MO-036AB QUAD P P 100   1.4   -.75   -0.5 1.4  
JANTX2N7336 MO-036AB Dual 2N / 2P 100 0.7 1.4 1 -.75 0.6 -0.5 1.4  
JANTXV2N7334 MO-036AB QUAD N N 100 0.7   1   0.6   1.4  
JANTXV2N7335 MO-036AB QUAD P P 100   1.4   -.75   -0.5 1.4  
JANTXV2N7336 MO-036AB Dual 2N / 2P 100 0.7 1.4 1 -.75 0.6 -0.5 1.4  
OM6214SS S-6 Dual N 100 0.065   35   20   50  
OM6215SS S-6 Dual N 200 0.095   28   19   125  
OM6216SS S-6 Dual N 400 0.3   15   9   125  
OM6217SS S-6 Dual N 500 0.4   13   8   125  
OMD100 M-12 QUAD N N 100 0.08   25   16   125  
OMD200 M-12 QUAD N N 200 0.11   25   16   125  
OMD400 M-12 QUAD N N 400 0.35   13   8   125  
Типономинал Корпус Схема Полярность BVDSS Rds(on) @ 25C / N-channel Rds(on) @ 25C / P-channel ID @ 25°C N-channel ID @ 25°C P-channel ID @ 100°C (N) ID @ 100°C (P) Мощность рассеяния Total Dose
OMD500 M-12 QUAD N N 500 0.43   11   7   125  
BVDSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток
Rdson@25°C (pre-Irradiation) (Static Drain-to-Source On-Resistance) -максимальное нормированное сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком до облучения при температуре 25 °C
N-channel и P-channel, соответственно N-канальный и P-канальный
ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока
Total Dose - кумулятивная доза облучения
    Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы International Rectifier,

поставщики электронных компонентов






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (995) 900 6254. e-mail:info@eust.ru
©1998-2023 Рынок Микроэлектроники