Поиск по сайту:

 

По базе:  
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > International Rectifier

реклама
 




Мероприятия:




RadHard силовые n-канальные транзисторы на напряжение 100 В

Типономинал Корпус Схема Полярность BVDSS Rds(on) @ 25°C (pre-Irradiation) ID @ 25°C ID @ 100°C Total Dose Мощность рассеяния
IRH7130 TO-204AA DISCRETE N 100 0.18 14 9 100 75
IRH7150 TO-204AE DISCRETE N 100 0.065 34 21 100 150
IRH8130 TO-204AA DISCRETE N 100 0.18 14 9 1000 75
IRH8150 TO-204AE DISCRETE N 100 0.065 34 21 1000 150
IRHE7110 18-pin LCC DISCRETE N 100 0.6 3.5 2.2 100 15
IRHE7130 18-pin LCC DISCRETE N 100 0.18 8 5 100 25
IRHE8110 18-pin LCC DISCRETE N 100 0.6 3.5 2.2 1000 15
IRHE8130 18-pin LCC DISCRETE N 100 0.18 8 5 1000 25
IRHF57130 TO-205AF DISCRETE N 100 0.08 11.7 7.4 100 25
IRHF58130 TO-205AF DISCRETE N 100 .10 11.7 7.4 1000 25
IRHF7110 TO-205AF DISCRETE N 100 0.6 3.5 2.2 100 15
IRHF7130 TO-205AF DISCRETE N 100 0.18 8 5 100 25
IRHF8110 TO-205AF DISCRETE N 100 0.6 3.5 2.2 1000 15
IRHF8130 TO-205AF DISCRETE N 100 0.18 8 5 1000 25
IRHM57160 TO-254AA DISCRETE N 100 0.018 35 35 100 250
IRHM58160 TO-254AA DISCRETE N 100 0.019 35 35 1000 250
IRHM7130 TO-254AA DISCRETE N 100 0.18 14 9 100 75
IRHM7150 TO-254AA DISCRETE N 100 0.065 34 21 100 150
IRHM7160 TO-254AA DISCRETE N 100 0.045 35 35 100 250
IRHM8130 TO-254AA DISCRETE N 100 0.18 14 9 1000 75
Типономинал Корпус Схема Полярность BVDSS Rds(on) @ 25°C (pre-Irradiation) ID @ 25°C ID @ 100°C Total Dose Мощность рассеяния
IRHM8150 TO-254AA DISCRETE N 100 0.065 34 21 1000 150
IRHM8160 TO-254AA DISCRETE N 100 0.045 35 35 1000 250
IRHMS67160 TO-254AA DISCRETE N 100 0.011 45 45 100 208
IRHN7130 SMD-1 DISCRETE N 100 0.18 14 9 100 75
IRHN7150 SMD-1 DISCRETE N 100 0.065 34 21 100 150
IRHN8130 SMD-1 DISCRETE N 100 0.18 14 9 1000 75
IRHN8150 SMD-1 DISCRETE N 100 0.065 34 21 1000 150
IRHNA57160 SMD-2 DISCRETE N 100 0.012 75 69 100 300
IRHNA58160 SMD-2 DISCRETE N 100 0.013 75 69 1000 300
IRHNA67160 SMD-2 DISCRETE N 100 0.010 75 72 100 250
IRHNA7160 SMD-2 DISCRETE N 100 0.04 51 32.5 100 300
IRHNA8160 SMD-2 DISCRETE N 100 0.04 51 32.5 1000 300
IRHNB7160 SMD-3 DISCRETE N 100 0.04 51 32.5 100 300
IRHNB8160 SMD-3 DISCRETE N 100 0.04 51 32.5 1000 300
IRHNJ57130 SMD-0.5 DISCRETE N 100 0.075 22 16 100 75
IRHNJ58130 SMD-0.5 DISCRETE N 100 0.075 22 16 1000 75
IRHNJ7130 SMD-0.5 DISCRETE N 100 0.18 14.4 9.1 100 75
IRHNJ8130 SMD-0.5 DISCRETE N 100 0.18 14.4 9.1 1000 75
IRHY58130CM TO-257AA DISCRETE N 100 0.085 18 14 1000 75
IRHY7130CM TO-257AA DISCRETE N 100 0.18 14.4 9.1 100 75
Типономинал Корпус Схема Полярность BVDSS Rds(on) @ 25°C (pre-Irradiation) ID @ 25°C ID @ 100°C Total Dose Мощность рассеяния
IRHY8130CM TO-257AA DISCRETE N 100 0.18 14.4 9.1 1000 75
IRHYB67130CM TO-257AA DISCRETE N 100 0.042 20 19 100 75
IRHYB68130CM TO-257AA DISCRETE N 100 0.042 20 19 1000 75
JANSF2N7261 TO-205AF DISCRETE N 100 0.18 8 5 300 25
JANSF2N7268 TO-254AA DISCRETE N 100 0.065 34 21 300 150
JANSF2N7268U SMD-1 DISCRETE N 100 0.065 34 21 300 150
JANSF2N7380 TO-257AA DISCRETE N 100 0.18 14.4 9.1 300 75
JANSF2N7432 TO-254AA DISCRETE N 100 0.045 35 35 600 250
JANSF2N7432U SMD-2 DISCRETE N 100 0.040 51 32.5 300 300
JANSG2N7261 TO-205AF DISCRETE N 100 0.18 8 5 600 25
JANSG2N7268 TO-254AA DISCRETE N 100 0.065 34 21 600 150
JANSG2N7268U SMD-1 DISCRETE N 100 0.065 34 21 600 150
JANSG2N7380 TO-257AA DISCRETE N 100 0.18 14.4 9.1 600 75
JANSG2N7432 TO-254AA DISCRETE N 100 0.045 35 35 300 250
JANSG2N7432U SMD-2 DISCRETE N 100 0.040 51 32.5 600 300
JANSH2N7261 TO-205AF DISCRETE N 100 0.18 8 5 1000 25
JANSH2N7261U 18-pin LCC DISCRETE N 100 0.18 8.0 5 1000 25
JANSH2N7268 TO-254AA DISCRETE N 100 0.065 34 21 1000 150
JANSH2N7268U SMD-1 DISCRETE N 100 0.065 34 21 1000 150
JANSH2N7380 TO-257AA DISCRETE N 100 0.18 14.4 9.1 1000 75
Типономинал Корпус Схема Полярность BVDSS Rds(on) @ 25°C (pre-Irradiation) ID @ 25°C ID @ 100°C Total Dose Мощность рассеяния
JANSH2N7432 TO-254AA DISCRETE N 100 0.045 35 35 1000 250
JANSH2N7432U SMD-2 DISCRETE N 100 0.04 51 32.5 1000 300
JANSR2N7261 TO-205AF DISCRETE N 100 0.18 8 5 100 25
JANSR2N7261U 18-pin LCC DISCRETE N 100 0.18 8.0 5 100 25
JANSR2N7268 TO-254AA DISCRETE N 100 0.065 34 21 100 150
JANSR2N7268U SMD-1 DISCRETE N 100 0.065 34 21 100 150
JANSR2N7380 TO-257AA DISCRETE N 100 0.18 14.4 9.1 100 75
JANSR2N7432 TO-254AA DISCRETE N 100 0.045 35 35 100 250
JANSR2N7432U SMD-2 DISCRETE N 100 0.04 51 32.5 100 300
BVDSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток
Rdson@25°C (pre-Irradiation) (Static Drain-to-Source On-Resistance) -максимальное нормированное сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком до облучения при температуре 25 °C
N-channel и P-channel, соответственно N-канальный и P-канальный
ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока
Total Dose - кумулятивная доза облучения
    Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы International Rectifier,

поставщики электронных компонентов





 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (995) 900 6254. e-mail:info@eust.ru
©1998-2023 Рынок Микроэлектроники