Поиск по сайту:

 

По базе:  
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > International Rectifier

реклама
 




Мероприятия:




RadHard силовые n-канальные транзисторы на напряжение 200 В

Типономинал Корпус Схема Полярность BVDSS Rds(on) @ 25°C (pre-Irradiation) ID @ 25°C ID @ 100°C Total Dose Мощность рассеяния
IRH7230 TO-204AA DISCRETE N 200 0.4 9 6 100 75
IRH7250 TO-204AE DISCRETE N 200 0.11 26 16 100 150
IRH8230 TO-204AA DISCRETE N 200 0.4 9 6 1000 75
IRH8250 TO-204AE DISCRETE N 200 0.11 26 16 1000 150
IRHE7230 18-pin LCC DISCRETE N 200 0.35 5.5 3.5 100 25
IRHE8230 18-pin LCC DISCRETE N 200 0.35 5.5 3.5 1000 25
IRHF57230 TO-205AF DISCRETE N 200 0.22 7.3 4.5 100 25
IRHF58230 TO-205AF DISCRETE N 200 0.275 7.3 4.5 1000 25
IRHF7230 TO-205AF DISCRETE N 200 0.35 5.5 3.5 100 25
IRHF8210 TO-205AF DISCRETE N 200 1.5 2 1.3 1000 15
IRHF8230 TO-205AF DISCRETE N 200 0.35 5.5 3.5 1000 25
IRHM57260 TO-254AA DISCRETE N 200 0.044 35 35 100 250
IRHM58260 TO-254AA DISCRETE N 200 0.045 35 35 1000 250
IRHM7230 TO-254AA DISCRETE N 200 0.4 9 6 100 75
IRHM7250 TO-254AA DISCRETE N 200 0.1 26 16 100 150
IRHM7260 TO-254AA DISCRETE N 200 0.07 35 25 100 250
IRHM8230 TO-254AA DISCRETE N 200 0.4 9 6 1000 75
IRHM8250 TO-254AA DISCRETE N 200 0.1 26 16 1000 150
IRHM8260 TO-254AA DISCRETE N 200 0.07 35 25 1000 250
IRHMS67260 TO-254AA DISCRETE N 200 0.029 45 35 100 208
Типономинал Корпус Схема Полярность BVDSS Rds(on) @ 25°C (pre-Irradiation) ID @ 25°C ID @ 100°C Total Dose Мощность рассеяния
IRHMS68260 TO-254AA DISCRETE N 200 0.029 45 35 1000 208
IRHN7230 SMD-1 DISCRETE N 200 0.4 9 6 100 75
IRHN7250 SMD-1 DISCRETE N 200 0.1 26 16 100 150
IRHN8230 SMD-1 DISCRETE N 200 0.4 9 6 1000 75
IRHN8250 SMD-1 DISCRETE N 200 0.1 26 16 1000 150
IRHNA57260 SMD-2 DISCRETE N 200 0.038 55 35 100 300
IRHNA58260 SMD-2 DISCRETE N 200 0.043 55 35 1000 300
IRHNA67260 SMD-2 DISCRETE N 200 0.028 63 40 100 250
IRHNA7260 SMD-2 DISCRETE N 200 0.07 43 27 100 300
IRHNA8260 SMD-2 DISCRETE N 200 0.07 43 27 1000 300
IRHNB7260 SMD-3 DISCRETE N 200 0.07 43 27 100 300
IRHNB8260 SMD-3 DISCRETE N 200 0.07 43 27 1000 300
IRHNJ57230 SMD-0.5 DISCRETE N 200 .20 13 8.2 100 75
IRHNJ58230 SMD-0.5 DISCRETE N 200 .20 13 8.2 1000 75
IRHNJ7230 SMD-0.5 DISCRETE N 200 0.40 9.4 6 100 75
IRHNJ8230 SMD-0.5 DISCRETE N 200 0.53 9.4 6 1000 75
IRHY57230CM TO-257AA DISCRETE N 200 0.20 12.5 8 100 75
IRHY58230CM TO-257AA DISCRETE N 200 0.25 12.5 8 1000 75
IRHY7230CM TO-257AA DISCRETE N 200 0.4 9.4 6 100 75
IRHY8230CM TO-257AA DISCRETE N 200 0.4 9.4 6 1000 75
Типономинал Корпус Схема Полярность BVDSS Rds(on) @ 25°C (pre-Irradiation) ID @ 25°C ID @ 100°C Total Dose Мощность рассеяния
JANSF2N7262 TO-205AF DISCRETE N 200 0.35 5.5 3.5 300 25
JANSF2N7262U 18-pin LCC DISCRETE N 200 0.35 5.5 3.5 300 25
JANSF2N7269 TO-254AA DISCRETE N 200 0.1 26 16 300 150
JANSF2N7269U SMD-1 DISCRETE N 200 0.1 26 16 300 150
JANSF2N7381 TO-257AA DISCRETE N 200 0.4 9.4 6 300 75
JANSF2N7433 TO-254AA DISCRETE N 200 0.07 25 35 300 250
JANSF2N7433U SMD-2 DISCRETE N 200 0.070 43 27 300 300
JANSG2N7262 TO-205AF DISCRETE N 200 0.35 5.5 3.5 600 25
JANSG2N7262U 18-pin LCC DISCRETE N 200 0.35 5.5 3.5 600 25
JANSG2N7269 TO-254AA DISCRETE N 200 0.1 26 16 600 150
JANSG2N7269U SMD-1 DISCRETE N 200 0.1 26 16 600 150
JANSG2N7381 TO-257AA DISCRETE N 200 0.4 9.4 6 600 75
JANSG2N7433 TO-254AA DISCRETE N 200 0.07 25 35 600 250
JANSG2N7433U SMD-2 DISCRETE N 200 0.070 43 27 600 300
JANSH2N7262 TO-205AF DISCRETE N 200 0.35 5.5 3.5 1000 25
JANSH2N7262U 18-pin LCC DISCRETE N 200 0.35 5.5 3.5 1000 25
JANSH2N7269 TO-254AA DISCRETE N 200 0.1 26 16 1000 150
JANSH2N7269U SMD-1 DISCRETE N 200 0.1 26 16 1000 150
JANSH2N7381 TO-257AA DISCRETE N 200 0.4 9.4 6 1000 75
JANSH2N7433 TO-254AA DISCRETE N 200 0.07 25 35 1000 250
Типономинал Корпус Схема Полярность BVDSS Rds(on) @ 25°C (pre-Irradiation) ID @ 25°C ID @ 100°C Total Dose Мощность рассеяния
JANSH2N7433U SMD-2 DISCRETE N 200 0.070 43 27 1000 300
JANSR2N7262 TO-205AF DISCRETE N 200 0.35 5.5 3.5 100 25
JANSR2N7262U 18-pin LCC DISCRETE N 200 0.35 5.5 3.5 100 25
JANSR2N7269 TO-254AA DISCRETE N 200 0.1 26 16 100 150
JANSR2N7269U SMD-1 DISCRETE N 200 0.1 26 16 100 150
JANSR2N7381 TO-257AA DISCRETE N 200 0.4 9.4 6 100 75
JANSR2N7433 TO-254AA DISCRETE N 200 0.07 25 35 100 250
JANSR2N7433U SMD-2 DISCRETE N 200 0.070 43 27 100 300
BVDSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток
Rdson@25°C (pre-Irradiation) (Static Drain-to-Source On-Resistance) -максимальное нормированное сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком до облучения при температуре 25 °C
N-channel и P-channel, соответственно N-канальный и P-канальный
ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока
Total Dose - кумулятивная доза облучения
    Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы International Rectifier,

поставщики электронных компонентов





 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (995) 900 6254. e-mail:info@eust.ru
©1998-2023 Рынок Микроэлектроники