RadHard силовые n-канальные транзисторы на напряжение 30 В
| Типономинал |
Корпус |
Схема |
Полярность |
BVDSS |
Rds(on) @ 25°C (pre-Irradiation) |
ID @ 25°C |
ID @ 100°C |
Total Dose |
Мощность рассеяния |
 IRHE57Z30 |
18-pin LCC |
DISCRETE |
N |
30 |
0.07 |
12 |
8 |
100 |
25 |
| IRHE58Z30 |
18-pin LCC |
DISCRETE |
N |
30 |
0.07 |
12 |
8 |
1000 |
25 |
| IRHF57Z30 |
TO-205AF |
DISCRETE |
N |
30 |
0.045 |
12 |
10 |
100 |
25 |
| IRHF58Z30 |
TO-205AF |
DISCRETE |
N |
30 |
0.056 |
12 |
10 |
1000 |
25 |
| IRHM57Z60 |
TO-254AA |
DISCRETE |
N |
30 |
0.0095 |
35 |
35 |
100 |
250 |
| IRHM58Z60 |
TO-254AA |
DISCRETE |
N |
30 |
0.010 |
35 |
35 |
1000 |
250 |
| IRHM7Z60 |
TO-254AA |
DISCRETE |
N |
30 |
0.014 |
35 |
35 |
100 |
250 |
| IRHM8Z60 |
TO-254AA |
DISCRETE |
N |
30 |
0.014 |
35 |
35 |
1000 |
250 |
| IRHNA57Z60 |
SMD-2 |
DISCRETE |
N |
30 |
0.0035 |
75 |
75 |
100 |
300 |
| IRHNA58Z60 |
SMD-2 |
DISCRETE |
N |
30 |
0.0035 |
75 |
75 |
1000 |
300 |
| IRHNA7Z60 |
SMD-2 |
DISCRETE |
N |
30 |
0.009 |
75 |
75 |
100 |
300 |
| IRHNA8Z60 |
SMD-2 |
DISCRETE |
N |
30 |
0.009 |
75 |
75 |
1000 |
300 |
| IRHNB7Z60 |
SMD-3 |
DISCRETE |
N |
30 |
0.009 |
75 |
75 |
100 |
300 |
| IRHNB8Z60 |
SMD-3 |
DISCRETE |
N |
30 |
0.009 |
75 |
75 |
1000 |
300 |
| IRHNJ57Z30 |
SMD-0.5 |
DISCRETE |
N |
30 |
0.02 |
22 |
22 |
100 |
75 |
| IRHNJ58Z30 |
SMD-0.5 |
DISCRETE |
N |
30 |
0.025 |
22 |
22 |
1000 |
75 |
| IRHY57Z30CM |
TO-257AA |
DISCRETE |
N |
30 |
0.03 |
18 |
18 |
100 |
75 |
| IRHY58Z30CM |
TO-257AA |
DISCRETE |
N |
30 |
0.035 |
18 |
18 |
1000 |
75 |
- BVDSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток
- Rdson@25°C (pre-Irradiation) (Static Drain-to-Source On-Resistance) -максимальное нормированное сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком до облучения при температуре 25 °C
- N-channel и P-channel, соответственно N-канальный и P-канальный
- ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока
- Total Dose - кумулятивная доза облучения
|
