RadHard силовые n-канальные транзисторы на напряжение 500 В
| Типономинал |
Корпус |
Схема |
Полярность |
BVDSS |
Rds(on) @ 25°C (pre-Irradiation) |
ID @ 25°C |
ID @ 100°C |
Total Dose |
Мощность рассеяния |
 IRH7450 |
TO-204AA |
DISCRETE |
N |
500 |
0.45 |
11 |
7 |
100 |
150 |
| IRH8450 |
TO-204AA |
DISCRETE |
N |
500 |
0.45 |
11 |
7 |
1000 |
150 |
| IRHM7450 |
TO-254AA |
DISCRETE |
N |
500 |
0.45 |
11 |
7 |
100 |
150 |
| IRHM8450 |
TO-254AA |
DISCRETE |
N |
500 |
0.45 |
11 |
7 |
1000 |
150 |
| IRHN7450 |
SMD-1 |
DISCRETE |
N |
500 |
0.45 |
11 |
7 |
100 |
150 |
| IRHN8450 |
SMD-1 |
DISCRETE |
N |
500 |
0.45 |
11 |
7 |
1000 |
150 |
| JANSF2N7270 |
TO-254AA |
DISCRETE |
N |
500 |
0.45 |
11 |
7 |
300 |
150 |
| JANSF2N7270U |
SMD-1 |
DISCRETE |
N |
500 |
0.45 |
11 |
7 |
300 |
150 |
| JANSG2N7270 |
TO-254AA |
DISCRETE |
N |
500 |
0.45 |
11 |
7 |
600 |
150 |
| JANSH2N7270 |
TO-254AA |
DISCRETE |
N |
500 |
0.45 |
11 |
7 |
1000 |
150 |
| JANSH2N7270U |
SMD-1 |
DISCRETE |
N |
500 |
0.45 |
11 |
7 |
1000 |
150 |
| JANSR2N7270 |
TO-254AA |
DISCRETE |
N |
500 |
0.45 |
11 |
7 |
100 |
150 |
| JANSR2N7270U |
SMD-1 |
DISCRETE |
N |
500 |
0.45 |
11 |
7 |
100 |
150 |
- BVDSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток
- Rdson@25°C (pre-Irradiation) (Static Drain-to-Source On-Resistance) -максимальное нормированное сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком до облучения при температуре 25 °C
- N-channel и P-channel, соответственно N-канальный и P-канальный
- ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока
- Total Dose - кумулятивная доза облучения
|
