RadHard силовые p-канальные транзисторы на напряжение -60 В

Типономинал	Корпус	Схема	Полярность	BVDSS	Rds(on) @ 25°C (pre-Irradiation)	ID @ 25°C	ID @ 100°C	Total Dose	Мощность рассеяния
IRHLF7970Z4	TO-39	DISCRETE	P	-60	1.2	-1.6	-1.0	100	5
IRHLUB7930Z4	UB	DISCRETE	P	-60	1.2	-0.53	-0.33	300	0.6
IRHLUB7970Z4	UB	DISCRETE	P	-60	1.2	-0.53	-0.33	100	0.6
IRHM9064	TO-254AA	DISCRETE	P	-60	0.05	-35	-30	100	250
IRHM93064	TO-254AA	DISCRETE	P	-60	0.05	-35	-30	300	250
IRHMS593064	TO-254AA	DISCRETE	P	-60	0.016	-45	-45	300	208
IRHMS597064	TO-254AA	DISCRETE	P	-60	0.016	-45	-45	100	208
IRHNA593064	SMD-2	DISCRETE	P	-60	0.015	-75	-63	300	300
IRHNA597064	SMD-2	DISCRETE	P	-60	0.015	-75	-63	100	300
IRHNA9064	SMD-2	DISCRETE	P	-60	0.045	-48	-30	100	300
IRHNA93064	SMD-2	DISCRETE	P	-60	0.045	-48	-30	300	300
IRHNJ593034	SMD-0.5	DISCRETE	P	-60	0.060	-22	-16	300	75
IRHNJ597034	SMD-0.5	DISCRETE	P	-60	0.060	-22	-16	100	75
IRHY593034CM	TO-257AA	DISCRETE	P	-60	0.070	-18	-16	300	75
IRHY597034CM	TO-257AA	DISCRETE	P	-60	0.070	-18	-16	100	75
JANSF2N7424	TO-254AA	DISCRETE	P	-60	0.05	-35	-30	300	250
JANSF2N7424U	SMD-2	DISCRETE	P	-60	0.045	-48	-30	300	300
JANSR2N7424	TO-254AA	DISCRETE	P	-60	0.05	-35	-30	300	250
JANSR2N7424U	SMD-2	DISCRETE	P	-60	0.045	-48	-30	100	300

BVDSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток

Rdson@25°C (pre-Irradiation) (Static Drain-to-Source On-Resistance) -максимальное нормированное сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком до облучения при температуре 25 °C

N-channel и P-channel, соответственно N-канальный и P-канальный

ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока

Total Dose - кумулятивная доза облучения

---

---

Главная - Микросхемы - DOC - ЖКИ - Источники питания - Электромеханика - Интерфейсы - Программы - Применения - Статьи