N-канальные стандартные дискретные силовые MOSFET транзисторы повышенной надежности на напряжение 60-75 В
Типономинал |
Корпус |
Схема |
Полярность |
BVDSS |
Rds(on) |
ID @ 25°C |
ID @ 100°C |
Мощность рассеяния |
IRF034 |
TO-204AE |
DISCRETE |
N |
60 |
0.05 |
25 |
16 |
75 |
IRF044 |
TO-204AE |
DISCRETE |
N |
60 |
0.028 |
44 |
27 |
125 |
IRF054 |
TO-204AE |
DISCRETE |
N |
60 |
0.022 |
45 |
31 |
150 |
IRF7MS2907 |
TO-254AA |
DISCRETE |
N |
75 |
0.0055 |
45 |
45 |
208 |
IRF7NA2907 |
SMD-2 |
DISCRETE |
N |
75 |
0.0045 |
75 |
75 |
313 |
IRF7NJZ44V |
SMD-0.5 |
DISCRETE |
N |
60 |
0.0165 |
22 |
22 |
50 |
IRF7YSZ44VCM |
TO-257AA |
DISCRETE |
N |
60 |
0.0195 |
20 |
20 |
50 |
IRFE024 |
18-pin LCC |
DISCRETE |
N |
60 |
0.15 |
6.7 |
4.2 |
14 |
IRFF024 |
TO-205AF |
DISCRETE |
N |
60 |
0.15 |
8 |
5.7 |
20 |
IRFI064 |
TO-259AA |
DISCRETE |
N |
60 |
0.017 |
45 |
45 |
300 |
IRFM044 |
TO-254AA |
DISCRETE |
N |
60 |
0.04 |
35 |
28 |
125 |
IRFM054 |
TO-254AA |
DISCRETE |
N |
60 |
0.027 |
35 |
35 |
150 |
IRFM064 |
TO-254AA |
DISCRETE |
N |
60 |
0.017 |
35 |
35 |
250 |
IRFN044 |
SMD-1 |
DISCRETE |
N |
60 |
0.04 |
44 |
27 |
125 |
IRFN054 |
SMD-1 |
DISCRETE |
N |
60 |
0.02 |
55 |
40 |
150 |
IRFV064 |
TO-258AA |
DISCRETE |
N |
60 |
0.017 |
45 |
45 |
300 |
IRFY044CM |
TO-257AA |
DISCRETE |
N |
60 |
0.04 |
16 |
16 |
100 |
- BVDSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток
- Rdson@25°C (pre-Irradiation) (Static Drain-to-Source On-Resistance) -максимальное нормированное сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком до облучения при температуре 25 °C
- N-channel и P-channel, соответственно N-канальный и P-канальный
- ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока
- Total Dose - кумулятивная доза облучения
|