P-канальные стандартные дискретные силовые MOSFET транзисторы повышенной надежности на напряжение -150 : -200 В

Типономинал	Корпус	Схема	Полярность	BVDSS	Rds(on)	ID @ 25°C	ID @ 100°C	Мощность рассеяния
2N6806	TO-204AA	DISCRETE	P	-200	0.8	-6.5	-4	75
2N6847	TO-205AF	DISCRETE	P	-200	1.5	-2.5	-1.6	20
2N6851	TO-205AF	DISCRETE	P	-200	0.8	-4	-2.4	25
IRF5NJ6215	SMD-0.5	DISCRETE	P	-150	0.29	-11	-7.2	75
IRF5Y6215CM	TO-257AA	DISCRETE	P	-150	0.29	-11	-7	75
IRF9230	TO-204AA	DISCRETE	P	-200	0.8	-6.5	-4	75
IRFE9210	18-pin LCC	DISCRETE	P	-200	3	-1.3	-0.84	11
IRFE9220	18-pin LCC	DISCRETE	P	-200	1.5	-2.1	-1.5	14
IRFE9230	18-pin LCC	DISCRETE	P	-200	0.8	-4.0	-2.4	25
IRFF9210	TO-205AF	DISCRETE	P	-200	3	-1.5	-0.97	15
IRFF9220	TO-205AF	DISCRETE	P	-200	1.5	-2.5	-1.6	20
IRFF9230	TO-205AF	DISCRETE	P	-200	0.8	-4	-2.4	25
IRFM9240	TO-254AA	DISCRETE	P	-200	0.51	-11	-7	125
IRFN9240	SMD-1	DISCRETE	P	-200	0.51	-11	-7	125
IRFY9240CM	TO-257AA	DISCRETE	P	-200	0.51	-9.4	-6	100
JANS2N6851	TO-205AF	DISCRETE	P	-200	0.8	-4	-2.4	25
JANS2N6851U	18-pin LCC	DISCRETE	P	-200	0.8	-4.0	-2.4	25
JANS2N7237	TO-254AA	DISCRETE	P	-200	0.51	-11	-7	125
JANS2N7237U	SMD-1	DISCRETE	P	-200	0.51	-11	-7	125
JANTX2N6806	TO-204AA	DISCRETE	P	-200	0.8	-6.5	-4	75
Типономинал	Корпус	Схема	Полярность	BVDSS	Rds(on)	ID @ 25°C	ID @ 100°C	Мощность рассеяния
JANTX2N6847	TO-205AF	DISCRETE	P	-200	1.5	-2.5	-1.6	20
JANTX2N6847U	18-pin LCC	DISCRETE	P	-200	1.5	-2.1	-1.5	14
JANTX2N6851	TO-205AF	DISCRETE	P	-200	0.8	-4	-2.4	25
JANTX2N6851U	18-pin LCC	DISCRETE	P	-200	0.8	-4.0	-2.4	25
JANTX2N7237	TO-254AA	DISCRETE	P	-200	0.51	-11	-7	125
JANTX2N7237U	SMD-1	DISCRETE	P	-200	0.51	-11	-7	125
JANTXV2N6806	TO-204AA	DISCRETE	P	-200	0.8	-6.5	-4	75
JANTXV2N6847	TO-205AF	DISCRETE	P	-200	1.5	-2.5	-1.6	20
JANTXV2N6847U	18-pin LCC	DISCRETE	P	-200	1.5	-2.1	-1.5	14
JANTXV2N6851	TO-205AF	DISCRETE	P	-200	0.8	-4	-2.4	25
JANTXV2N6851U	18-pin LCC	DISCRETE	P	-200	0.8	-4.0	-2.4	25
JANTXV2N7237	TO-254AA	DISCRETE	P	-200	0.51	-11	-7	125
JANTXV2N7237U	SMD-1	DISCRETE	P	-200	0.51	-11	-7	125

BVDSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток

Rdson@25°C (pre-Irradiation) (Static Drain-to-Source On-Resistance) -максимальное нормированное сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком до облучения при температуре 25 °C

N-channel и P-channel, соответственно N-канальный и P-канальный

ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока

Total Dose - кумулятивная доза облучения

---

---

Главная - Микросхемы - DOC - ЖКИ - Источники питания - Электромеханика - Интерфейсы - Программы - Применения - Статьи