SKiiP28AC065V1
3-фазный мостовой инвертор MiniSKiiP 2
Отличительные особенности:
- Ультрабыстродействующие NPT IGBT-транзисторы
- Надежные, плавно-пробиваемые диоды, выполненные по технологии CAL (управляемый срок существования носителя)
- Высоконадежные пружинные контакты для электрических подключений
- Сертификат лаборатории безопасности UL номер E63532
Области применения:
- Инверторы мощностью до 22 кВА
- Двигатели мощностью 11 кВт
Примечания:
- VCEsat , VF - значения на уровне кристалла (без учета потерь на контактах)
Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C) |
Обозначение |
Наименование |
Условия снятия характеристики |
Значение |
Единица измерения |
IGBT-транзистор инвертора |
VCES |
напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером |
|
600 |
В |
IC |
ток коллектора |
Tc = 25 (70) °C |
94 (70) |
А |
ICRM |
повторяющийся максимальный ток коллектора |
tимп 1 мс |
200 |
А |
VGES |
напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером |
|
± 15 |
В |
Tj |
температура перехода |
|
- 40 ... + 150 |
°C |
Обратный диод инвертора |
IF |
прямой ток |
Tc = 25 (70) °C |
96 (71) |
A |
IFRM |
максимальный повторяющийся прямой ток |
tимп 1 мс |
200 |
A |
Tj |
температура перехода |
|
- 40 ... + 150 |
°C |
|
ItRMS |
действующее значение во включенном состоянии |
для одной силовой клеммы (20A/пружину) |
100 |
A |
Tstg |
температура хранения |
Top Tstg |
- 40 ... + 125 |
°C |
Visol |
напряжение испытания изоляции |
переменное напряжение, 1 минута |
2500 |
В |
Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C) |
Обозначение |
Наименование |
Условия снятия характеристики |
мин. |
ном. |
макс. |
Единица измерения |
IGBT-транзистор инвертора |
VCE(sat) |
напряжение насыщения коллектора-эмиттера |
ICnom = 100 A, Tj = 25 (125) °C |
|
2 (2,2) |
2,5 (2,7) |
В |
VGE(th) |
пороговое напряжение затвор-эмиттер |
VGE = VCE, IC = 2 мА |
3 |
4 |
5 |
В |
VCE(TO) |
Пороговое напряжение коллектора-эмиттера (статическое) |
Tj = 25 (125) °C |
|
1,2 (1,1) |
1,3 (1,2) |
В |
rT |
Дифференциальное сопротивление во включенном состоянии |
Tj = 25 (125) °C |
|
8 (11) |
12 (15) |
мОм |
Cies |
Входная емкость при закороченном выходе |
VGE = 25, VCE = 0 В, f = 1 МГц |
|
5,4 |
|
нФ |
Coes |
выходная емкость при закороченном входе |
VGE = 25, VCE = 0 В, f = 1 МГц |
|
1,1 |
|
нФ |
Cres |
Обратная передаточная емкость (емкость Миллера) |
VGE = 25, VCE = 0 В, f = 1 МГц |
|
1,3 |
|
нФ |
Rth(j-s) |
Тепловое сопротивление |
для одного IGBT |
|
0,5 |
|
K/Вт |
|
td(on) |
длительность задержки включения |
VCC = 300 В, VGE = ± 15В ICnom = 100 A, Tj = 125 °C RGon = RGoff = 12 Ом индуктивная нагрузка |
|
45 |
|
нс |
tr |
время нарастания |
|
50 |
|
нс |
td(off) |
длительность задержки выключения |
|
335 |
|
нс |
tf |
время спада |
|
40 |
|
нс |
Eon |
рассеиваемая энергия в процессе включения |
|
2.1 |
|
мДж |
Eoff |
рассеиваемая энергия в процессе выключения |
|
2.6 |
|
мДж |
Обратный диод инвертора |
VF = VEC |
прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе |
IFnom = 100 A; Tj = 25 (125) °C |
|
1,6 (1,65) |
1,9 (1,9) |
В |
V(TO) |
пороговое напряжение |
Tj = 25 (125) °C |
|
1 (0,9) |
1,1 (1) |
В |
rT |
прямое дифференциальное сопротивление |
Tj = 25 (125) °C |
|
6 (7) |
8 (9) |
мОм |
Rth(j-s) |
Тепловое сопротивление |
для одного диода |
|
0,7 |
|
K/Вт |
|
IRRM |
максимальный ток обратного восстановления |
IIFnom = 100 A, VR = 300 В VGE = 0В, Tj = 125 °C diF/dt = 2350 A/мкс |
|
92 |
|
A |
Qrr |
заряд восстановления |
|
9.1 |
|
мкКл |
Err |
Рассеиваемая энергия в процессе обратного восстановления |
|
1.9 |
|
мДж |
Датчик температуры |
Rts |
сопротивление |
3 %, Tr = 25 (100) °C |
|
1000 (1670) |
|
Ом |
Механические данные |
Ms |
монтажный вращающий момент |
|
2 |
|
2.5 |
Н · м |
m |
масса |
|
|
|
65 |
грамм |
- IC - ток коллектора;
- VGE - напряжение затвор-эмиттер;
- VCE - напряжение коллектор-эмиттер;
- Tj - температура перехода;
- ICnom - номинальный ток коллектора;
- VCC - напряжение питания коллектора-эмиттера;
- RGon (RGoff)- внешнее последовательное сопротивление с затвором во время включения (выключения);
- IFnom - номинальный прямой ток.
Внешний вид модулей семейства SKIIP 2:
Схема модуля:
Типовая схема включения:
Документация:
|
|
1010 Kb Engl Описание модулей |
Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы Semikron, |
|
|