SKiiP29AHB08V1
3-фазный мостовой выпрямитель + тормозной прерыватель MiniSKiiP 2
Отличительные особенности:
- Ультрабыстродействующие NPT IGBT-транзисторы
- Надежные, плавно-пробиваемые диоды, выполненные по технологии CAL (управляемый срок существования носителя)
- Высоконадежные пружинные контакты для электрических подключений
- Сертификат лаборатории безопасности UL номер E63532
Области применения:
- Входной мост для инверторов мощностью до 30 кВА
Примечания:
- VCEsat , VF - значения на уровне кристалла (без учета потерь на контактах)
| Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C) |
| Обозначение |
Наименование |
Условия снятия характеристики |
Значение |
Единица измерения |
| IGBT-прерыватель |
| VCES |
напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером |
|
600 |
В |
| IC |
ток коллектора |
Tc = 25 (70) °C |
125 (93) |
А |
| ICRM |
повторяющийся максимальный ток коллектора |
tимп  1 мс |
300 |
А |
| VGES |
напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером |
|
± 15 |
В |
| Tj |
температура перехода |
|
- 40 ... + 150 |
°C |
| Диод прерывателя |
| IF |
прямой ток |
Tc = 25 (70) °C |
120 (89) |
A |
| IFRM |
максимальный повторяющийся прямой ток |
tимп 1 мс |
300 |
A |
| Tj |
температура перехода |
|
- 40 ... + 150 |
°C |
| Диод/тиристор выпрямителя |
| VRRM |
повторяющееся максимальное обратное напряжение |
|
800 |
B |
| IF/IT |
прямой ток/ток во включенном состоянии |
Ts = 70 |
82 |
A |
| IFSM/ITSM |
прямой ток перегрузки/ ток перегрузки во включенном состоянии |
tp = 10 мс, sin 180 °, Tj = 25 °C |
1000 |
A |
| i2t |
значение i2t |
tp = 10 мс, sin 180 °, Tj = 25 °C |
5500 |
А2с |
| Tj |
температура перехода |
Диод |
- 40 ... + 150 |
°C |
| Tj |
температура перехода |
Тиристор |
- 40 ... + 125 |
°C |
| |
| ItRMS |
действующее значение во включенном состоянии |
для одной силовой клеммы (20A/пружину) |
120 |
A |
| Tstg |
температура хранения |
Top Tstg |
- 40 ... + 125 |
°C |
| Visol |
напряжение испытания изоляции |
переменное напряжение, 1 минута |
2500 |
B |
| Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C) |
| Обозначение |
Наименование |
Условия снятия характеристики |
мин. |
ном. |
макс. |
Единица измерения |
| IGBT-транзистор прерывателя |
| VCE(sat) |
напряжение насыщения коллектора-эмиттера |
ICnom = 150 A, Tj = 25 (125) °C |
|
2 (2,2) |
2,5 (2,7) |
В |
| VGE(th) |
пороговое напряжение затвор-эмиттер |
VGE = VCE, IC = 3 мА |
3 |
4 |
5 |
В |
| VCE(TO) |
Пороговое напряжение коллектора-эмиттера (статическое) |
Tj = 25 (125) °C |
|
1,2 (1,1) |
1,3 (1,2) |
В |
| rT |
Дифференциальное сопротивление во включенном состоянии |
Tj = 25 (125) °C |
|
5.3 (7.3) |
8 (10) |
мОм |
| Cies |
Входная емкость при закороченном выходе |
VGE = 25, VCE = 0 В, f = 1 МГц |
|
9 |
|
нФ |
| Coes |
выходная емкость при закороченном входе |
VGE = 25, VCE = 0 В, f = 1 МГц |
|
1,7 |
|
нФ |
| Cres |
Обратная передаточная емкость (емкость Миллера) |
VGE = 25, VCE = 0 В, f = 1 МГц |
|
2,1 |
|
нФ |
| Rth(j-s) |
Тепловое сопротивление |
для одного IGBT |
|
0,4 |
|
K/Вт |
| |
| td(on) |
длительность задержки включения |
VCC = 300 В, VGE = ± 15В ICnom = 150 A, Tj = 125 °C RGon = RGoff = 4 Ом индуктивная нагрузка |
|
20 |
|
нс |
| tr |
время нарастания |
|
25 |
|
нс |
| td(off) |
длительность задержки выключения |
|
185 |
|
нс |
| tf |
время спада |
|
15 |
|
нс |
| Eon |
рассеиваемая энергия в процессе включения |
|
5.7 |
|
мДж |
| Eoff |
рассеиваемая энергия в процессе выключения |
|
3.7 |
|
мДж |
| Диод прерывателя |
| VF = VEC |
прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе |
IFnom = 150 A; Tj = 25 (125) °C |
|
1,7 (1,7) |
2,1 (2,1) |
В |
| V(TO) |
пороговое напряжение |
Tj = 25 (125) °C |
|
1 (0,9) |
1,1 (1) |
В |
| rT |
прямое дифференциальное сопротивление |
Tj = 25 (125) °C |
|
4.7 (5.3) |
6.7 (7.3) |
мОм |
| Rth(j-s) |
Тепловое сопротивление |
для одного диода |
|
0,55 |
|
K/Вт |
| |
| IRRM |
максимальный ток обратного восстановления |
IIFnom = 150 A, VR = 300 В VGE = 0В, Tj = 125 °C diF/dt = 13700 A/мкс |
|
270 |
|
A |
| Qrr |
заряд восстановления |
|
18 |
|
мкКл |
| Err |
Рассеиваемая энергия в процессе обратного восстановления |
|
3.5 |
|
мДж |
| Диод выпрямителя |
| VF |
прямое напряжение |
IFnom = 75 A; Tj = 25 (125) °C |
|
1,2 |
|
В |
| V(TO) |
пороговое напряжение |
Tj = 150 °C |
|
0,8 |
|
В |
| rT |
прямое дифференциальное сопротивление |
Tj = 150 °C |
|
7 |
|
мОм |
| Rth(j-s) |
Тепловое сопротивление |
для одного диода |
|
0,7 |
|
K/Вт |
| Тиристор выпрямителя |
| VT |
напряжение во включенном состоянии |
IFnom = 120 A; Tj = 25 (125) °C |
|
|
1,8(1,7) |
В |
| VT(TO) |
пороговое напряжение |
Tj = 150 °C |
|
|
1,1 |
В |
| rT |
прямое дифференциальное сопротивление |
Tj = 125 °C |
|
3 |
|
мОм |
| VGT |
отпирающее напряжение |
Tj = 25 °C |
|
3 |
|
B |
| IGT |
ток отпирания |
Tj = 25 °C |
150 |
|
|
мА |
| IH |
ток удержания |
Tj = 25 °C |
|
200 |
|
мА |
| IL |
ток срабатывания |
Tj = 25 °C |
|
400 |
|
мА |
| dv/dt(cr) |
критическая скорость нарастания напряжения в выключенном состоянии |
Tj = 125 °C |
|
|
1000 |
В/мкс |
| di/dt(cr) |
критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии |
Tj = 125 °C |
|
|
50 |
А/мкс |
| Rth(j-s) |
Тепловое сопротивление |
для одного тиристора |
|
0,65 |
|
K/Вт |
| Датчик температуры |
| Rts |
сопротивление |
3 %, Tr = 25 (100) °C |
|
1000 (1670) |
|
Ом |
| Механические данные |
| Ms |
монтажный вращающий момент |
|
2 |
|
2.5 |
Н · м |
| m |
масса |
|
|
|
95 |
грамм |
- IC - ток коллектора;
- VGE - напряжение затвор-эмиттер;
- VCE - напряжение коллектор-эмиттер;
- Tj - температура перехода;
- ICnom - номинальный ток коллектора;
- VCC - напряжение питания коллектора-эмиттера;
- RGon (RGoff)- внешнее последовательное сопротивление с затвором во время включения (выключения);
- IFnom - номинальный прямой ток.
Внешний вид модулей семейства SKIIP 2:
Схема модуля:
Типовая схема включения:
Документация:
| |
 |
1174 Kb Engl Описание модулей |
| Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы Semikron, |
|
|
