SK10GD126ET
3-фазный мостовой инвертор SEMITOP 3
Отличительные особенности:
- Компактная конструкция
- Монтаж одним винтом
- Передача тепла и изоляция через DBC-керамику
- IGBT-транзистор, выполненный по технологии Tranch (пазовое исполнение затвора)
- FW-диод, выполненный по технологии CAL
- Встроенный термистор для измерения температуры
Области применения:
| Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C) |
| Обозначение |
Наименование |
Условия снятия характеристики |
Значение |
Единица измерения |
| IGBT -транзистор инвертора, прерывателя |
| VCES |
напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером |
|
1200 |
В |
| IC |
ток коллектора |
Tc = 25 (80) °C |
15 (11) |
А |
| ICM |
максимальный ток коллектора |
tp  1 мс, Ts = 25 (80) °C |
30 (22) |
А |
| VGES |
напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером |
|
± 20 |
В |
| Tj |
температура перехода |
|
- 40 ... + 150 |
°C |
| Диод инвертора, прерывателя |
| IF |
прямой ток |
Tc = 25 (80) °C |
25 (17) |
A |
| IFM = - ICM |
максимальный прямой ток, равный отрицательному максимальному току коллектора |
Ts = 25 (80) °C, tp 1 мс |
50 (34) |
A |
| Tj |
температура перехода |
|
- 40 ... + 150 |
°C |
| Выпрямитель |
| VRRM |
повторяющееся максимальное обратное напряжение |
|
|
В |
| IF |
прямой ток |
Tc = °C |
|
A |
| IFSM/ITSM |
прямой ток перегрузки/ ток перегрузки во включенном состоянии |
tp = ms , sin ° ,Tj = °C |
|
A |
| I2t |
значение I2t |
tp = ms , sin ° ,Tj = °C |
|
А2с |
| Tj |
температура перехода |
|
|
°C |
| |
| Tsol |
температура пайки |
выводы, 10 сек. |
260 |
°C |
| Tstg |
температура хранения |
|
- 40 ... + 125 |
°C |
| VISOL |
напряжение испытания изоляции |
действующее значение переменного напряжения, 50Гц, 1 минута/1 секунда |
2500/3000 |
В |
| Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C) |
| Обозначение |
Наименование |
Условия снятия характеристики |
мин. |
ном. |
макс. |
Единица измерения |
| IGBT -транзистор инвертора, прерывателя |
| VCE(sat) |
напряжение коллектор-эмиттер насыщения |
IC = 8 A, Tj = 25 (125) °C |
|
1,7 (2,2) |
2,1 |
В |
| VGE(th) |
пороговое напряжение затвор-эмиттер |
VGE = VCE, IC = 0,3 мА |
5 |
5,8 |
6,5 |
В |
| VCE(TO) |
Пороговое напряжение коллектора-эмиттера |
Tj = 25 (125) °C |
|
1 (0,9) |
1,2 |
В |
| rT |
Дифференциальное сопротивление во включенном состоянии |
Tj = 25 (125) °C |
|
87 (138) |
113 |
мОм |
| Cies |
входная емкость при закороченном выходе |
VGE = 0, VCE = 25 В, f = 1 МГц |
|
0,7 |
|
нФ |
| Cоes |
Выходная емкость при закороченном входе |
VGE = 0, VCE = 25 В, f = 1 МГц |
|
0,2 |
|
нФ |
| Cres |
Обратная передаточная емкость (емкость Миллера) |
VGE = 0, VCE = 25 В, f = 1 МГц |
|
0,1 |
|
нФ |
| Rth(j-s) |
Тепловое сопротивление |
для IGBT |
|
|
2 |
K/Вт |
| |
| td(on) |
длительность задержки включения |
при следующих условиях: VCC = 600 В, VGE = ± 15В IC = 8 A Tj = 125 °C RGon = RGoff = 75 Ом индуктивная нагрузка |
|
85 |
|
нс |
| tr |
время нарастания |
|
30 |
|
нс |
| td(off) |
длительность задержки выключения |
|
430 |
|
нс |
| tf |
время спада |
|
90 |
|
нс |
| Eon |
рассеиваемая энергия в процессе включения |
|
1 |
|
мДж |
| Eoff |
рассеиваемая энергия в процессе выключения |
|
1 |
|
мДж |
| Диод инвертора, прерывателя |
| VF = VEC |
прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе |
IF = 50 A; Tj = 25 (125) °C |
|
1,9 (2) |
2,2 |
В |
| V(TO) |
пороговое напряжение |
Tj = 125 () °C |
|
1 (0,8) |
1,1 (0,9) |
В |
| rT |
прямое дифференциальное сопротивление |
Tj = (125) °C |
|
40 (53) |
47 |
мОм |
| Rth(j-c) |
тепловое сопротивление |
для одного диода |
|
|
2,1 |
K/Вт |
| |
| IRRM |
максимальный ток обратного восстановления |
при следующих условиях: IF = 15 A, VR = 600 В diF/dt = 300 A/мкс VGE = 0В, Tj = 125 °C |
|
21 |
|
A |
| Qrr |
заряд восстановления |
|
3,5 |
|
мКл |
| Err |
рассеиваемая энергия в процессе обратного восстановления |
|
1,4 |
|
мДж |
| Термистор |
| Rts |
сопротивление |
5 %, Tr = 25 (100 ) °C |
|
5000 (493) |
|
Ом |
| Механические данные |
| M1 |
монтажный вращающий момент |
|
|
|
2,5 |
Н · м |
| w |
масса |
|
|
30 |
|
грамм |
- IC - ток коллектора;
- VGE - напряжение затвор-эмиттер;
- VCE - напряжение коллектор-эмиттер;
- VCC - напряжение питания коллектора-эмиттера;
- RGon (RGoff)- внешнее последовательное сопротивление с затвором во время включения (выключения);
- IF - номинальный прямой ток.
Внешний вид модулей семейства SEMITOP3:
Схема модуля и расположение выводов SK15GD126:
Документация:
| |
 |
731 Kb Engl Описание модулей |
| Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы Semikron, |
|
|
