SK30GB123, SK30GAL123, SK30GAR123

IGBT-модуль SEMITOP 2

Отличительные особенности:

• Компактная конструкция
• Монтаж одним винтом
• Передача тепла и изоляция через DBC-керамику
• Высокая стойкость к короткому замыканию
• Технология NPT (Non-Punch-Through)
• Положительный температурный коэффициент Vce(sat)
• Малый хвостовой ток с низкой температурной зависимостью

Области применения:

• Коммутация (не для линейных цепей)
• Инверторы
• Импульсные источники питания
• Источники бесперебойного питания

Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
Обозначение	Наименование	Условия снятия характеристики	Значение	Единица измерения
IGBT-транзистор
VCES	напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером		1200	В
VGES	напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером		± 20	В
IC	ток коллектора	Tc = 25 (80) °C	33 (22)	А
ICM	максимальный ток коллектора	tp < 1 мс, Ts = 25 (80) °C	66 (44)	А
Tj	температура перехода		- 40 ... + 150	°C
CAL-диод
IF	прямой ток	Tc = 25 (80) °C	37 (25)	A
IFM = - ICM	максимальный повторяющийся прямой ток	tимп = 1 мс	74 (50)	A
Tj	температура перехода		- 40 ... + 150	°C
Tstg	температура хранения		- 40 ... + 125	°C
Tsol	температура пайки	выводы, 10 сек.	260	°C
VISOL	напряжение испытания изоляции	действующее значение переменного напряжения, 50Гц, 1 минута/1 секунда	2500/3000	В

Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
Обозначение	Наименование	Условия снятия характеристики	мин.	ном.	макс.	Единица измерения
IGBT-транзистор
VCE(sat)	напряжение коллектор-эмиттер насыщения	IC = 25 A, Tj = 25 (125) °C		2,5 (3,1)	3 (3,7)	В
VGE(th)	пороговое напряжение затвор-эмиттер	VGE = VCE, IC = 0,001 А	4,5	5,5	6,5	В
Cies	входная емкость при закороченном выходе	VGE = 0, VCE = 25 В, f = 1 МГц		1,65		нФ
Rth(j-s)	Тепловое сопротивление	для IGBT			1	K/Вт
td(on)	длительность задержки включения	при следующих условиях: VCC = 600 В, VGE = ± 15В IC = 25 A Tj = 125 °C RGon = RGoff = 25 Ом индуктивная нагрузка		40		нс
tr	время нарастания			45		нс
td(off)	длительность задержки выключения			300		нс
tf	время спада			45		нс
Eon+(Eoff)	рассеиваемая энергия в процессе включения (выключения)			6,1		мДж
CAL-диод
VF = VEC	прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе	IF = 25 A; Tj = 25 (125) °C		2 (1,8)	2,5 (2,3)	В
V(TO)	пороговое напряжение	Tj = (125) °C		(1)	(1,2)	В
rT	прямое дифференциальное сопротивление	Tj = (125) °C		(32)	(44)	мОм
Rth(j-c)	тепловое сопротивление				1,2	K/Вт
IRRM	максимальный ток обратного восстановления	при следующих условиях: IF = 22 A, VR = 600 В diF/dt = -500 A/мкс VGE = 0В, Tj = 125 °C		25		A
Qrr	заряд восстановления			4,5		мКл
Err	рассеиваемая энергия в процессе обратного восстановления			1		мДж
Механические данные
M1	монтажный вращающий момент				2	Н · м
w	масса			19		грамм
	корпус	SEMITOP 2		Т 8

I_C - ток коллектора;

V_GE - напряжение затвор-эмиттер;

V_CE - напряжение коллектор-эмиттер;

V_CC - напряжение питания коллектора-эмиттера;

R_Gon (R_Goff)- внешнее последовательное сопротивление с затвором во время включения (выключения);

I_F - номинальный прямой ток.

Внешний вид модулей семейства SEMITOP2:

Схема модуля и расположение выводов SK30GB123:

Схема модуля и расположение выводов SK30GAL123:

Схема модуля и расположение выводов SK30GAR123:

Документация:

532 Kb Engl Описание модулей

Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы Semikron,