SK35GD065ET
3-фазный мостовой инвертор SEMITOP 3
Отличительные особенности:
- Компактная конструкция
- Монтаж одним винтом
- Передача тепла и изоляция через DBC-керамику
- IGBT-транзистор, выполненный по ультрабыстродействующей технологии NPT
- FW-диод, выполненный по технологии CAL
- Встроенный термистор для измерения температуры
Области применения:
| Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C) |
| Обозначение |
Наименование |
Условия снятия характеристики |
Значение |
Единица измерения |
| IGBT -транзистор инвертора, прерывателя |
| VCES |
напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером |
|
600 |
В |
| IC |
ток коллектора |
Tc = 25 (80) °C |
45 (33) |
А |
| ICM |
максимальный ток коллектора |
tp  1 мс, Ts = 25 (80) °C |
90 (66) |
А |
| VGES |
напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером |
|
± 20 |
В |
| Tj |
температура перехода |
|
- 40 ... + 150 |
°C |
| Диод инвертора, прерывателя |
| IF |
прямой ток |
Tc = 25 (80) °C |
36 (24) |
A |
| IFM = - ICM |
максимальный прямой ток, равный отрицательному максимальному току коллектора |
Ts = 25 (80) °C, tp < 1 мс |
80 (56) |
A |
| Tj |
температура перехода |
|
- 40 ... + 150 |
°C |
| Выпрямитель |
| VRRM |
повторяющееся максимальное обратное напряжение |
|
|
В |
| IF |
прямой ток |
Tc = °C |
|
A |
| IFSM/ITSM |
прямой ток перегрузки/ ток перегрузки во включенном состоянии |
tp = ms , sin ° ,Tj = °C |
|
A |
| I2t |
значение I2t |
tp = ms , sin ° ,Tj = °C |
|
А2с |
| Tj |
температура перехода |
|
|
°C |
| |
| Tsol |
температура пайки |
выводы, 10 сек. |
260 |
°C |
| Tstg |
температура хранения |
|
- 40 ... + 125 |
°C |
| VISOL |
напряжение испытания изоляции |
действующее значение переменного напряжения, 50Гц, 1 минута/1 секунда |
2500/3000 |
В |
| Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C) |
| Обозначение |
Наименование |
Условия снятия характеристики |
мин. |
ном. |
макс. |
Единица измерения |
| IGBT -транзистор инвертора, прерывателя |
| VCE(sat) |
напряжение коллектор-эмиттер насыщения |
IC = 50 A, Tj = 25 (125) °C |
|
2 (2,2) |
2,5 (2,7) |
В |
| VGE(th) |
пороговое напряжение затвор-эмиттер |
VGE = VCE, IC = 2 мА |
3 |
4 |
5 |
В |
| VCE(TO) |
Пороговое напряжение коллектора-эмиттера |
Tj = 25 (125) °C |
|
1,2 (1,1) |
1,3 (1,2) |
В |
| rT |
Дифференциальное сопротивление во включенном состоянии |
Tj = 25 (125) °C |
|
16 (22) |
24 (30) |
мОм |
| Cies |
входная емкость при закороченном выходе |
VGE = 0, VCE = 25 В, f = 1 МГц |
|
2,7 |
|
нФ |
| Cоes |
Выходная емкость при закороченном входе |
VGE = 0, VCE = 25 В, f = 1 МГц |
|
0,8 |
|
нФ |
| Cres |
Обратная передаточная емкость (емкость Миллера) |
VGE = 0, VCE = 25 В, f = 1 МГц |
|
0,6 |
|
нФ |
| Rth(j-s) |
Тепловое сопротивление |
для IGBT |
|
|
1 |
K/Вт |
| |
| td(on) |
длительность задержки включения |
при следующих условиях: VCC = 300 В, VGE = ± 15В IC = 50 A Tj = 125 °C RGon = RGoff = 15 Ом индуктивная нагрузка |
|
35 |
|
нс |
| tr |
время нарастания |
|
35 |
|
нс |
| td(off) |
длительность задержки выключения |
|
240 |
|
нс |
| tf |
время спада |
|
25 |
|
нс |
| Eon |
рассеиваемая энергия в процессе включения |
|
1,3 |
|
мДж |
| Eoff |
рассеиваемая энергия в процессе выключения |
|
0,6 |
|
мДж |
| Диод инвертора, прерывателя |
| VF = VEC |
прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе |
IF = 50 A; Tj = 25 (125) °C |
|
1,9 (1,9) |
2,3 (2,4) |
В |
| V(TO) |
пороговое напряжение |
Tj = 125 () °C |
|
1 (0,9) |
1,1 |
В |
| rT |
прямое дифференциальное сопротивление |
Tj = (125) °C |
|
18 (20) |
24 (28) |
мОм |
| Rth(j-c) |
тепловое сопротивление |
для одного диода |
|
|
1,7 |
K/Вт |
| |
| IRRM |
максимальный ток обратного восстановления |
при следующих условиях: IF = 50 A, VR =300 В diF/dt = 2400 A/мкс VGE = 0В, Tj = 125 °C |
|
57 |
|
A |
| Qrr |
заряд восстановления |
|
4,6 |
|
мКл |
| Err |
рассеиваемая энергия в процессе обратного восстановления |
|
0,9 |
|
мДж |
| Термистор |
| Rts |
сопротивление |
5 %, Tr = 25 (100 ) °C |
|
5000 (493) |
|
Ом |
| Механические данные |
| Ms |
монтажный вращающий момент |
|
|
|
2,5 |
Н · м |
| w |
масса |
|
|
30 |
|
грамм |
- IC - ток коллектора;
- VGE - напряжение затвор-эмиттер;
- VCE - напряжение коллектор-эмиттер;
- VCC - напряжение питания коллектора-эмиттера;
- RGon (RGoff)- внешнее последовательное сопротивление с затвором во время включения (выключения);
- IF - номинальный прямой ток.
Внешний вид модулей семейства SEMITOP3:
Схема модуля SK35GD065ET:
Документация:
| |
 |
701 Kb Engl Описание модулей |
| Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы Semikron, |
|
|
