SKM195GB066D

IGBT-модуль с пазовым исполнением затвора SEMITRANS 2

Отличительные особенности:

• Гомогенная кремниевая структура
• Технология пазового исполнения затвора
• Положительный температурный коэффициент VCEsat (напряжение коллектор-эмиттер в насыщении)
• Высокая стойкость к короткому замыканию, самоограничение до 6 х Ic

Области применения:

• Привода с инверторами переменного тока
• Источники бесперебойного питания
• Электронные сварочные аппараты

Примечания:

• Максимальная температура корпуса T_c = 125°C максимум, рекомендуемая рабочая температура T_op = -40 ... +150°C, данные по надежности действительны для T_j150°C
• Данные по режиму короткого замыкания: t_p6 мкс; V_GE15В; T_j=150°C; V_cc360В, необходимо использование смягчающего резистора R_G!
• Учитывайте возможность образования перенапряжений под влиянием паразитной индуктивности.

Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
Обозначение	Наименование	Условия снятия характеристики	Значение	Единица измерения
IGBT-транзистор
VCES	напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером		600	В
IC	ток коллектора	Tc = 25 (80)°C, Tj=150°C	240 (170)	А
IC	ток коллектора	Tc = 25 (80)°C, Tj=175°C	265 (200)	А
ICRM	повторяющийся максимальный ток коллектора	tимп = 1 мс	400	А
VGES	напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером		± 20	В
Tvj, (Tstg)	эффективная температура р-n-перехода (температура хранения)	Tрабочая <= Tstg	- 40 ... + (175) 125	°C
VISOL	напряжение испытания изоляции	переменное напряжение, 1 минута	4000	В
Обратный диод
IF	прямой ток	Tc = 25 (80) °C, Tj=150°C	200 (130)	A
IF	прямой ток	Tc = 25 (80) °C, Tj=175°C	220 (160)	A
IFRM	максимальный повторяющийся прямой ток	tимп = 1 мс	400	A
IFSM	прямой ток перегрузки	tимп = 10 мс; синусоидальная форма; Tj = 175 °C		A

Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
Обозначение	Наименование	Условия снятия характеристики	мин.	ном.	макс.	Единица измерения
IGBT-транзистор
VGE(th)	пороговое напряжение затвор-эмиттер	VGE = VCE, IC = 2.4 мА	5,0	5,8	6,5	В
ICES	коллекторно-эмиттерный ток отсечки при соединении затвора с эмиттером	VGE = 0, VCE = VCES, Tj = 25 (150) °C		0,13	0,38	мА
VCE(TO)	постоянное пороговое напряжение коллектор-эмиттер	Tj = 25 (150) °C		0,9 (0.85)	1 (0.9)	В
rCE	дифференциальное сопротивление открытого канала	VGE = 15 V, Tj = 25 (150) °C		2,8 (4,3)	4,5 (6)	мОм
VCE(sat)	напряжение коллектор-эмиттер насыщения	ICnom = 150 A, VGE = 15В, на уровне кристалла		1,45 (1,7)	1,9 (2,1)	В
Cies	входная емкость	при следующих условиях: VGE = 0, VCE = 25 В, f = 1 МГц		12,3		нФ
Coes	выходная емкость			0,77		нФ
Cres	обратная переходная емкость			0,37		нФ
LCE	паразитная индуктивность коллектора-эмиттера				30	нГн
RCC'+EE'	суммарное переходное сопротивление выводов коллектора и эмиттера	температура выводов полупроводника Tc = 25 (125) °C		0,75 (1)		мОм
td(on)	длительность задержки включения	VCC = 300 В, ICnom = 200 A		160		нс
tr	время нарастания	RGon = RGoff = 3 Ом, Tj = 150 °C		68		нс
td(off)	длительность задержки выключения	VGE = -8В/+15В		520		нс
tf	время спада			49		нс
Eon (Eoff)	рассеиваемая энергия в процессе включения (выключения)			14 (8)		мДж
Обратный диод
VF = VEC	постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе	IFnom = 200 A; VGE = 0В; Tj = 25 (150) °C		1,4	1,6	В
V(TO)	пороговое напряжение	Tj = 125 (150) °C		0,95	1	В
rT	дифференциальное сопротивление	Tj = 125 (150) °C		2,3	3	мОм
IRRM	максимальный ток обратного восстановления	IFnom = 200 A; Tj = 150 ( ) °C		100		A
Qrr	заряд восстановления	di/dt = 2000 A/мкс		30		мкКл
Err	рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение	VGE = 0В		5.6		мДж
Тепловые характеристики
Rth(j-c)	тепловое сопротивление переход-корпус	для IGBT			0,22	K/Вт
Rth(j-c)D	тепловое сопротивление переход-корпус	для обратного диода			0,4	K/Вт
Rth(c-s)	тепловое сопротивление переход-корпус	для модуля			0,05	K/Вт
Механические данные
Ms	монтажный вращающий момент	для крепления теплоотвода с резьбой M6	3		5	Н · м
Mt	монтажный вращающий момент	для выводов с резьбой M5	2,5		5	Н · м
w	масса				150	грамм

I_C - ток коллектора;

V_GE - напряжение затвор-эмиттер;

V_CE - напряжение коллектор-эмиттер;

T_j - температура перехода;

I_Cnom - номинальный ток коллектора;

V_CC - напряжение питания коллектора-эмиттера;

R_Gon (R_Goff)- внешнее последовательное сопротивление с затвором во время включения (выключения);

I_Fnom - номинальный прямой ток.

Внешний вид модулей семейства SEMITRANS2:

Схема модуля:

Расположение выводов:

Документация:

963 Kb Engl Описание модулей

Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы Semikron,