SKM400GA128D

Модули SPT IGBT-транзисторов SEMITRANS 4

Отличительные особенности:

• Гомогенная кремниевая структура
• Технология SPT
• Положительный температурный коэффициент V_CEsat (напряжение коллектор-эмиттер в насыщении)
• Высокая стойкость к короткому замыканию, самоограничение тока коллектора при ограничении напряжения на затворе

Области применения:

• Инверторы переменного тока для регулирования скорости в электроприводах
• Источники бесперебойного питания
• Инверторы сварочных аппаратов с частотами преобразования до 20 кГц

Примечания:

• I_DC 500 A для T_Terminal = 100 °C

Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
Обозначение	Наименование	Условия снятия характеристики	Значение	Единица измерения
IGBT-транзистор
VCES	напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером		1200	В
IC	ток коллектора	Tc = 25 (80) °C	565 (400)	А
ICRM	повторяющийся максимальный ток коллектора	tимп = 1 мс	600	А
VGES	напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером		± 20	В
Tvj, (Tstg)	эффективная температура р-n-перехода (температура хранения)	Tрабочая <= Tstg	- 40 ... + (125) 150	°C
VISOL	напряжение испытания изоляции	переменное напряжение, 1 минута	4000	В
Обратный диод
IF	прямой ток	Tc = 25 (80) °C	390 (260)	A
IFRM	максимальный повторяющийся прямой ток	tимп = 1 мс	600	A
IFSM	прямой ток перегрузки	tимп = 10 мс; синусоидальная форма; Tj = 150 °C	2900	A

Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
Обозначение	Наименование	Условия снятия характеристики	мин.	ном.	макс.	Единица измерения
IGBT-транзистор
VGE(th)	пороговое напряжение затвор-эмиттер	VGE = VCE, IC = 12 мА	4,5	5,5	6,5	В
ICES	коллекторно-эмиттерный ток отсечки при соединении затвора с эмиттером	VGE = 0, VCE = VCES, Tj = 25 (125) °C		0,1	0,3	мА
VCE(TO)	постоянное пороговое напряжение коллектор-эмиттер	Tj = 25 (125) °C		1 (0,9)	1,15 (1,05)	В
rCE	дифференциальное сопротивление открытого канала	VGE = 15 V, Tj = 25 (125) °C		3 (4)	4 (5)	мОм
VCE(sat)	напряжение коллектор-эмиттер насыщения	ICnom = 300 A, VGE = 15В, на уровне кристалла		1,9 (2,1)	2,35 (2,55)	В
Cies	входная емкость	при следующих условиях: VGE = 0, VCE = 25 В, f = 1 МГц		26		нФ
Coes	выходная емкость			3		нФ
Cres	обратная переходная емкость			3		нФ
LCE	паразитная индуктивность коллектора-эмиттера			20		нГн
RCC'+EE'	суммарное переходное сопротивление выводов коллектора и эмиттера	температура выводов полупроводника Tc = 25 (125) °C		0,18 (0,22)		мОм
td(on)	длительность задержки включения	VCC = 600 В, ICnom = 300 A		120		нс
tr	время нарастания	RGon = RGoff = 5 Ом, Tj = 125 °C		70		нс
td(off)	длительность задержки выключения	VGE = ± 15В		800		нс
tf	время спада			75		нс
Eon (Eoff)	рассеиваемая энергия в процессе включения (выключения)			31 (33)		мДж
Обратный диод
VF = VEC	постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе	IFnom = 300 A; VGE = 0В; Tj = 25 (125) °C		2 (1,8)	2,5	В
V(TO)	пороговое напряжение	Tj = 125 () °C		1,1	1,2	В
rT	дифференциальное сопротивление	Tj = 125 () °C		3	4,3	мОм
IRRM	максимальный ток обратного восстановления	IFnom = 300 A; Tj = 125 ( ) °C		345		A
Qrr	заряд восстановления	di/dt = 5200 A/мкс		48		мкКл
Err	рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение	VGE = 0В		19		мДж
Тепловые характеристики
Rth(j-c)	тепловое сопротивление переход-корпус	для IGBT			0,055	K/Вт
Rth(j-c)D	тепловое сопротивление переход-корпус	для обратного диода			0,125	K/Вт
Rth(c-s)	тепловое сопротивление переход-корпус	для модуля			0,038	K/Вт
Механические данные
Ms	монтажный вращающий момент	для крепления теплоотвода с резьбой M6	3		5	Н · м
Mt	монтажный вращающий момент	для выводов с резьбой M5	2.5		5	Н · м
w	масса				330	грамм

I_C - ток коллектора;

V_GE - напряжение затвор-эмиттер;

V_CE - напряжение коллектор-эмиттер;

T_j - температура перехода;

I_Cnom - номинальный ток коллектора;

V_CC - напряжение питания коллектора-эмиттера;

R_Gon (R_Goff)- внешнее последовательное сопротивление с затвором во время включения (выключения);

I_Fnom - номинальный прямой ток.

Внешний вид модулей семейства SEMITRANS4:

Схема модуля:

Расположение выводов:

Документация:

605 Kb Engl Описание модулей

Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы Semikron,