Поиск по сайту:

 

По базе:  
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > Semikron > Силовые полупроводники > IGBT серии SEMITRANS

реклама
 




Мероприятия:




SKM400GB176D, SKM400GAL176D

IGBT- модуль SEMITRANS 3 с пазовым исполнением затвора (Trench IGBT) на напряжение 1700В

Отличительные особенности:

  • Гомогенная кремниевая структура
  • Технология пазового исполнения затвора (Trench)
  • Напряжение VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
  • Высокая стойкость к короткому замыканию, самоограничение тока до 6 х Ic

Области применения:

  • Инверторы для управления асинхронными приводами с питанием от сети переменного тока 575-750В
  • Общественный транспорт
  • Ветроэнергетика
Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
IGBT-транзистор
VCES напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером   1700 В
IC ток коллектора Tc = 25 (80)°C 430 (310) А
ICRM повторяющийся максимальный ток коллектора tимп = 1 мс 600 А
VGES напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером   ± 20 В
Tvj, (Tstg) эффективная температура р-n-перехода (температура хранения) Tрабочая Tstg - 40 ... + 150 (125) °C
VISOL напряжение испытания изоляции переменное напряжение, 1 минута 4000 В
Свободный диод
IF прямой ток Tc = 25 (80) °C 440 (300) A
IFRM максимальный повторяющийся прямой ток tимп = 1 мс 600 A
IFSM прямой ток перегрузки tимп = 10 мс; синусоидальная форма; Tj = 150 °C 2200 A
Обратный диод
IF прямой ток Tc = 25 (80) °C 440 (300) A
IFRM максимальный повторяющийся прямой ток tимп = 1 мс 600 A
IFSM прямой ток перегрузки tимп = 10 мс; синусоидальная форма; Tj = 150 °C 2200 A


Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики мин. ном. макс. Единица измерения
IGBT-транзистор
VGE(th) пороговое напряжение затвор-эмиттер VGE = VCE, IC = 12 мА 5,2 5,8 6,4 В
ICES коллекторно-эмиттерный ток отсечки при соединении затвора с эмиттером VGE = 0, VCE = VCES, Tj = 25 () °C   0,15 0,45 мА
VCE(TO) постоянное пороговое напряжение коллектор-эмиттер Tj = 25 () °C   1 (0,9) 1,2 (1,1) В
rCE дифференциальное сопротивление открытого канала VGE = 15 V, Tj = 25 (125) °C   3,3 (5,2) 4,2 (6) мОм
VCE(sat) напряжение коллектор-эмиттер насыщения ICnom = 300 A, VGE = 15В, на уровне кристалла   2 (2,45) 2,4 (2,9) В
 
Cies входная емкость при следующих условиях: VGE = 0, VCE = 25 В, f = 1 МГц   13,2   нФ
Coes выходная емкость   0.6   нФ
Cres обратная переходная емкость   0.5   нФ
LCE паразитная индуктивность коллектора-эмиттера     20 нГн
RCC'+EE' суммарное переходное сопротивление выводов коллектора и эмиттера температура выводов полупроводника Tc = 25 (125) °C   0,35 (0,5)   мОм
 
td(on) длительность задержки включения VCC = 1200 В, ICnom = 300 A   330   нс
tr время нарастания RGon = RGoff = 4 Ом, Tj = 125 °C   55   нс
td(off) длительность задержки выключения VGE = +15В   880   нс
tf время спада     145   нс
Eon (Eoff) рассеиваемая энергия в процессе включения (выключения)     170 (118)   мДж
Обратный диод
VF = VEC постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе IFnom = 300 A; VGE = 0В; Tj = 25 (125) °C   1,7 (1,8) 1,9 (2) В
V(TO) пороговое напряжение Tj = 25 (125) °C   1,2 (0,9) 1,4 (1,1) В
rT дифференциальное сопротивление Tj = 25 (125) °C   1,7 (3) 1,7 (3) мОм
IRRM максимальный ток обратного восстановления IFnom = 300 A; Tj = 125 ( ) °C   418   A
Qrr заряд восстановления di/dt = 5800A/мкс   117   мкКл
Err рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение VGE = 0В   78   мДж
Свободный диод
VF = VEC постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе IFnom = 300 A; VGE = 0В; Tj = 25 (125) °C   1,7 (1,8) 1,9 (2) В
V(TO) пороговое напряжение Tj = 25 (125) °C   1,2 (0,9) 1,4 (1,1) В
rT дифференциальное сопротивление Tj = 25 (125) °C   1,7 (3) 1,7 (3) мОм
IRRM максимальный ток обратного восстановления IFnom = 300 A; Tj = 125 ( ) °C   418   A
Qrr заряд восстановления di/dt = 5800A/мкс   117   мкКл
Err рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение VGE = 0В   78   мДж
Тепловые характеристики
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT     0,075 K/Вт
Rth(j-c)D тепловое сопротивление переход-корпус для обратного диода     0,125 K/Вт
Rth(j-c)D тепловое сопротивление переход-корпус для свободного диода     0,125 K/Вт
Rth(c-s) тепловое сопротивление переход-корпус для модуля     0,038 K/Вт
Механические данные
Ms монтажный вращающий момент для крепления теплоотвода с резьбой M6 3   5 Н · м
Mt монтажный вращающий момент для выводов с резьбой M5 2,5   5 Н · м
w масса       325 грамм
IC - ток коллектора;
VGE - напряжение затвор-эмиттер;
VCE - напряжение коллектор-эмиттер;
Tj - температура перехода;
ICnom - номинальный ток коллектора;
VCC - напряжение питания коллектора-эмиттера;
RGon (RGoff)- внешнее последовательное сопротивление с затвором во время включения (выключения);
IFnom - номинальный прямой ток.

Внешний вид модулей семейства SEMITRANS3:

Внешний вид модулей семейства SEMITRANS3

Схема модулей:

Схема модулей SKM400GB176D, SKM400GAL176D

Расположение выводов:

Расположение выводов SKM400GB176DРасположение выводов SKM400GAL176D

Документация:

  783 Kb Engl Описание модулей SKM400GB176D, SKM400GAL176D
    Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы Semikron,

поставщики электронных компонентов





 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (995) 900 6254. e-mail:info@eust.ru
©1998-2023 Рынок Микроэлектроники