Поиск по сайту:

 

По базе:  
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > Semikron > Силовые полупроводники > IGBT серии SEMITRANS

реклама
 




Мероприятия:




SKM600GB126D, SKM600GAL126D

IGBT- модули SEMITRANS 3 с пазовым исполнением затвора на напряжение 1200В

Отличительные особенности:

  • Гомогенная кремниевая структура
  • Технология пазового исполнения затвора
  • Напряжение VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
  • Высокая стойкость к короткому замыканию, самоограничение тока до 6 х Ic

Области применения:

  • Инверторы для управления асинхронными приводами
  • Источники бесперебойного питания
  • Электронные сварочные аппараты
Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
IGBT-транзистор
VCES напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером   1200 В
IC ток коллектора Tc = 25 (80)°C 660 (460) А
ICRM повторяющийся максимальный ток коллектора tимп = 1 мс 800 А
VGES напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером   ± 20 В
Tvj, (Tstg) эффективная температура р-n-перехода (температура хранения) Tрабочая Tstg - 40 ... + 150 (125) °C
VISOL напряжение испытания изоляции переменное напряжение, 1 минута 4000 В
Обратный диод
IF прямой ток Tc = 25 (80) °C 490 (340) A
IFRM максимальный повторяющийся прямой ток tимп = 1 мс 800 A
IFSM прямой ток перегрузки tимп = 10 мс; синусоидальная форма; Tj = 150 °C 2900 A
Свободный диод
IF прямой ток Tc = 25 (80) °C 490 (340) A
IFRM максимальный повторяющийся прямой ток tимп = 1 мс 800 A
IFSM прямой ток перегрузки tимп = 10 мс; синусоидальная форма; Tj = 150 °C 2900 A


Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики мин. ном. макс. Единица измерения
IGBT-транзистор
VGE(th) пороговое напряжение затвор-эмиттер VGE = VCE, IC = 16 мА 5 5,8 6,5 В
ICES коллекторно-эмиттерный ток отсечки при соединении затвора с эмиттером VGE = 0, VCE = VCES, Tj = 25 (125) °C   0,2 0,6 мА
VCE(TO) постоянное пороговое напряжение коллектор-эмиттер Tj = 25 (125) °C   1 (0,9) 1,2 (1,1) В
rCE дифференциальное сопротивление открытого канала VGE = 15 V, Tj = 25 (125) °C   1,8 (2,8) 2,4 (3,4) мОм
VCE(sat) напряжение коллектор-эмиттер насыщения ICnom = 400 A, VGE = 15В, на уровне кристалла   1,7 (2) 2,15 (2,45) В
 
Cies входная емкость при следующих условиях: VGE = 0, VCE = 25 В, f = 1 МГц   32   нФ
Coes выходная емкость   11   нФ
Cres обратная переходная емкость   2.2   нФ
LCE паразитная индуктивность коллектора-эмиттера     20 нГн
RCC'+EE' суммарное переходное сопротивление выводов коллектора и эмиттера температура выводов полупроводника Tc = 25 (125) °C   0,35 (0,5)   мОм
 
td(on) длительность задержки включения VCC = 600 В, ICnom = 400 A   290   нс
tr время нарастания RGon = RGoff = 2 Ом, Tj = 125 °C   60   нс
td(off) длительность задержки выключения VGE = +15В   670   нс
tf время спада     80   нс
Eon (Eoff) рассеиваемая энергия в процессе включения (выключения)     39 (64)   мДж
Обратный диод
VF = VEC постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе IFnom = 400 A; VGE = 0В; Tj = 25 (125) °C   1,6 (1,6) 1,8 (1,8) В
V(TO) пороговое напряжение Tj = 125 () °C   1 (0,8) 1,1 (0,9) В
rT дифференциальное сопротивление Tj = 125 () °C   1,5 (2) 1,8 (2,3) мОм
IRRM максимальный ток обратного восстановления IFnom = 400 A; Tj = 125 ( ) °C   475   A
Qrr заряд восстановления di/dt = 7600A/мкс   96   мкКл
Err рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение VGE = 0В   41   мДж
Свободный диод
VF = VEC постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе IFnom = 400 A; VGE = 0В; Tj = 25 (125) °C   1,6 (1,6) 1,8 (1,8) В
V(TO) пороговое напряжение Tj = 125 () °C   1 (0,8) 1,1 (0,9) В
rT дифференциальное сопротивление Tj = 125 () °C   1,5 (2) 1,8 (2,3) мОм
IRRM максимальный ток обратного восстановления IFnom = 400 A; Tj = 125 ( ) °C   475   A
Qrr заряд восстановления di/dt = 7600A/мкс   96   мкКл
Err рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение VGE =0 В   41   мДж
Тепловые характеристики
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT     0,055 K/Вт
Rth(j-c)D тепловое сопротивление переход-корпус для обратного диода     0,125 K/Вт
Rth(j-c)D тепловое сопротивление переход-корпус для свободного диода     0,125 K/Вт
Rth(c-s) тепловое сопротивление переход-корпус для модуля     0,038 K/Вт
Механические данные
Ms монтажный вращающий момент для крепления теплоотвода с резьбой M6 3   5 Н · м
Mt монтажный вращающий момент для выводов с резьбой M5 2,5   5 Н · м
w масса       325 грамм
IC - ток коллектора;
VGE - напряжение затвор-эмиттер;
VCE - напряжение коллектор-эмиттер;
Tj - температура перехода;
ICnom - номинальный ток коллектора;
VCC - напряжение питания коллектора-эмиттера;
RGon (RGoff)- внешнее последовательное сопротивление с затвором во время включения (выключения);
IFnom - номинальный прямой ток.

Внешний вид модулей семейства SEMITRANS3:

Внешний вид модулей семейства SEMITRANS3

Схемы модулей:

Схемы модулей SKM600GB126D, SKM600GAL126D

Расположение выводов:

Расположение выводов SKM600GB126DРасположение выводов SKM600GAL126D

Документация:

  768 Kb Engl Описание модулей SKM600GB126D, SKM600GAL126D
    Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы Semikron,

поставщики электронных компонентов





 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (995) 900 6254. e-mail:info@eust.ru
©1998-2023 Рынок Микроэлектроники