SKM75GB123D, SKM75GAL123D, SKM75GAR123D
IGBT- модули SEMITRANS 2 на напряжение 1200В
Отличительные особенности:
- МОП-вход (управляемый напряжением)
- N-канальная гомогенная кремниевая структура
- Корпус с малой индуктивностью
- Малый хвостовой ток с низкой температурной зависимостью
- Высокая стойкость к короткому замыканию, самоограничение тока до 6 х Ic
- Исключено защелкивание
- Быстродействующие инверсные CAL-диоды с плавным восстановлением
- Изолированная медная базовая пластина, выполненная с использованием технологии DBC (непосредственное медное соединение) без жесткой формовки
- Большой зазор (10 мм) и путь утечки (20 мм)
Области применения:
- Коммутация (не для линейных цепей)
| Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C) |
| Обозначение |
Наименование |
Условия снятия характеристики |
Значение |
Единица измерения |
| IGBT-транзистор |
| VCES |
напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером |
|
1200 |
В |
| IC |
ток коллектора |
Tc = 25 (80)°C |
75 (60) |
А |
| ICRM |
повторяющийся максимальный ток коллектора |
tимп = 1 мс |
150 |
А |
| VGES |
напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером |
|
± 20 |
В |
| Tvj, (Tstg) |
эффективная температура р-n-перехода (температура хранения) |
Tрабочая  Tstg |
- 40 ... + (125) 150 |
°C |
| VISOL |
напряжение испытания изоляции |
переменное напряжение, 1 минута |
2500 |
В |
| Обратный диод |
| IF |
прямой ток |
Tc = 25 (80) °C |
75 (50) |
A |
| IFRM |
максимальный повторяющийся прямой ток |
tимп = 1 мс |
200 |
A |
| IFSM |
прямой ток перегрузки |
tимп = 10 мс; синусоидальная форма; Tj = 150 °C |
720 |
A |
| Свободный диод |
| IF |
прямой ток |
Tc = 25 (80) °C |
95 (65) |
A |
| IFRM |
максимальный повторяющийся прямой ток |
tимп = 1 мс |
200 |
A |
| IFSM |
прямой ток перегрузки |
tимп = 10 мс; синусоидальная форма; Tj = 150 °C |
720 |
A |
| Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C) |
| Обозначение |
Наименование |
Условия снятия характеристики |
мин. |
ном. |
макс. |
Единица измерения |
| IGBT-транзистор |
| VGE(th) |
пороговое напряжение затвор-эмиттер |
VGE = VCE, IC = 2 мА |
4,5 |
5,5 |
6,5 |
В |
| ICES |
коллекторно-эмиттерный ток отсечки при соединении затвора с эмиттером |
VGE = 0, VCE = VCES, Tj = 25 (125) °C |
|
0,1 |
0,3 |
мА |
| VCE(TO) |
постоянное пороговое напряжение коллектор-эмиттер |
Tj = 25 (125) °C |
|
1,4 (1.6) |
1,6 (1.8) |
В |
| rCE |
дифференциальное сопротивление открытого канала |
VGE = 15 V, Tj = 25 (125) °C |
|
22 (30) |
28 (38) |
мОм |
| VCE(sat) |
напряжение коллектор-эмиттер насыщения |
ICnom = 50 A, VGE = 15В, на уровне кристалла |
|
2,5 (3,1) |
3 (3,7) |
В |
| |
| Cies |
входная емкость |
при следующих условиях: VGE = 0, VCE = 25 В, f = 1 МГц |
|
3,3 |
4,3 |
нФ |
| Coes |
выходная емкость |
|
0,5 |
0,6 |
нФ |
| Cres |
обратная переходная емкость |
|
0,22 |
0,3 |
нФ |
| LCE |
паразитная индуктивность коллектора-эмиттера |
|
|
30 |
нГн |
| RCC'+EE' |
суммарное переходное сопротивление выводов коллектора и эмиттера |
температура выводов полупроводника Tc = 25 (125) °C |
|
0,75 (1) |
|
мОм |
| |
| td(on) |
длительность задержки включения |
VCC = 600 В, ICnom = 50 A |
|
44 |
100 |
нс |
| tr |
время нарастания |
RGon = RGoff = 22 Ом, Tj = 125 °C |
|
56 |
100 |
нс |
| td(off) |
длительность задержки выключения |
VGE = +15В |
|
380 |
500 |
нс |
| tf |
время спада |
|
|
70 |
100 |
нс |
| Eon (Eoff) |
рассеиваемая энергия в процессе включения (выключения) |
|
|
8 (5) |
|
мДж |
| Обратный диод |
| VF = VEC |
постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе |
IFnom = 50 A; VGE = 0В; Tj = 25 (125) °C |
|
2 (1,8) |
2,5 |
В |
| V(TO) |
пороговое напряжение |
Tj = 125 (125) °C |
|
|
1,2 |
В |
| rT |
дифференциальное сопротивление |
Tj = 125 () °C |
|
18 |
22 |
мОм |
| IRRM |
максимальный ток обратного восстановления |
IFnom = 50 A; Tj = 25 (125) °C |
|
23 (35) |
|
A |
| Qrr |
заряд восстановления |
di/dt = 800 A/мкс |
|
|
|
мкКл |
| Err |
рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение |
VGE = В |
|
|
|
мДж |
| Свободный диод |
| VF = VEC |
постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе |
IFnom = 50 A; VGE = 0В; Tj = 25 (125) °C |
|
1,85 (1,6) |
2,2 |
В |
| V(TO) |
пороговое напряжение |
Tj = 125 (125) °C |
|
|
1,2 |
В |
| rT |
дифференциальное сопротивление |
Tj = 125 () °C |
|
12 |
15 |
мОм |
| IRRM |
максимальный ток обратного восстановления |
IFnom = 50 A; Tj = 25 (125) °C |
|
27 (40) |
|
A |
| Qrr |
заряд восстановления |
di/dt = 800 A/мкс |
|
|
|
мкКл |
| Err |
рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение |
VGE = В |
|
|
|
мДж |
| Тепловые характеристики |
| Rth(j-c) |
тепловое сопротивление переход-корпус |
для IGBT |
|
|
0,27 |
K/Вт |
| Rth(j-c)D |
тепловое сопротивление переход-корпус |
для обратного диода |
|
|
0,6 |
K/Вт |
| Rth(j-c)D |
тепловое сопротивление переход-корпус |
для свободного диода |
|
|
0,5 |
K/Вт |
| Rth(c-s) |
тепловое сопротивление переход-корпус |
для модуля |
|
|
0,05 |
K/Вт |
| Механические данные |
| Ms |
монтажный вращающий момент |
для крепления теплоотвода с резьбой M6 |
3 |
|
5 |
Н · м |
| Mt |
монтажный вращающий момент |
для выводов с резьбой M5 |
2,5 |
|
5 |
Н · м |
| w |
масса |
|
|
|
160 |
грамм |
- IC - ток коллектора;
- VGE - напряжение затвор-эмиттер;
- VCE - напряжение коллектор-эмиттер;
- Tj - температура перехода;
- ICnom - номинальный ток коллектора;
- VCC - напряжение питания коллектора-эмиттера;
- RGon (RGoff)- внешнее последовательное сопротивление с затвором во время включения (выключения);
- IFnom - номинальный прямой ток.
Внешний вид модулей семейства SEMITRANS2:
Схема модулей:
Расположение выводов:
 
Документация:
| |
 |
132 Kb Engl Описание модулей |
| Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы Semikron, |
|
|
