SKM800GA126D

IGBT- модули SEMITRANS 4 с пазовым исполнением затвора на напряжение 1200В

Отличительные особенности:

• Гомогенная кремниевая структура
• Технология пазового исполнения затвора
• Напряжение VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
• Высокая стойкость к короткому замыканию, самоограничение тока до 6 х Ic

Области применения:

• Инверторы для управления асинхронными приводами
• Источники бесперебойного питания
• Электронные сварочные аппараты

Примечания:

• I_DC 500A ограничен клеммами

Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
Обозначение	Наименование	Условия снятия характеристики	Значение	Единица измерения
IGBT-транзистор
VCES	напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером		1200	В
IC	ток коллектора	Tc = 25 (80) °C	960 (620)	А
ICRM	повторяющийся максимальный ток коллектора	tимп = 1 мс	1200	А
VGES	напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером		± 20	В
Tvj, (Tstg)	эффективная температура р-n-перехода (температура хранения)	Tрабочая Tstg	- 40 ... + (125) 150	°C
VISOL	напряжение испытания изоляции	переменное напряжение, 1 минута	4000	В
Обратный диод
IF	прямой ток	Tc = 25 (80) °C	680 (470)	A
IFRM	максимальный повторяющийся прямой ток	tимп = 1 мс	1200	A
IFSM	прямой ток перегрузки	tимп = 10 мс; синусоидальная форма; Tj = 150 °C	3600	A

I_C - ток коллектора;

V_GE - напряжение затвор-эмиттер;

V_CE - напряжение коллектор-эмиттер;

T_j - температура перехода;

I_Cnom - номинальный ток коллектора;

V_CC - напряжение питания коллектора-эмиттера;

R_Gon (R_Goff)- внешнее последовательное сопротивление с затвором во время включения (выключения);

I_Fnom - номинальный прямой ток.

Внешний вид модулей семейства SEMITRANS3:

Схема модуля:

Расположение выводов:

Документация:

617 Kb Engl Описание модулей SKM800GA126D

---

---

Главная - Микросхемы - DOC - ЖКИ - Источники питания - Электромеханика - Интерфейсы - Программы - Применения - Статьи