SKM800GA176D
IGBT- модуль SEMITRANS 4 с пазовым исполнением затвора (Trench IGBT) на напряжение 1700В
Отличительные особенности:
- Гомогенная кремниевая структура
- Технология пазового исполнения затвора
- Напряжение VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
- Высокая стойкость к короткому замыканию, самоограничение тока до 6 х Ic
Области применения:
- Инверторы для управления асинхронными приводами с питанием от сети переменного тока 575-750В
- Общественный транспорт
- Ветроэнергетика
Примечания:
- При температуре выводов TTerminal = 100°C ток IDC ограничен до 500 A
Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C) |
Обозначение |
Наименование |
Условия снятия характеристики |
Значение |
Единица измерения |
IGBT-транзистор |
VCES |
напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером |
|
1700 |
В |
IC |
ток коллектора |
Tc = 25 (80) °C |
830 (590) |
А |
ICRM |
повторяющийся максимальный ток коллектора |
tимп = 1 мс |
1200 |
А |
VGES |
напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером |
|
± 20 |
В |
Tvj, (Tstg) |
эффективная температура р-n-перехода (температура хранения) |
Tрабочая Tstg |
- 40 ... + (125) 150 |
°C |
VISOL |
напряжение испытания изоляции |
переменное напряжение, 1 минута |
4000 |
В |
Обратный диод |
IF |
прямой ток |
Tc = 25 (80) °C |
630 (440) |
A |
IFRM |
максимальный повторяющийся прямой ток |
tимп = 1 мс |
1200 |
A |
IFSM |
прямой ток перегрузки |
tимп = 10 мс; синусоидальная форма; Tj = 150 °C |
3600 |
A |
Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C) |
Обозначение |
Наименование |
Условия снятия характеристики |
мин. |
ном. |
макс. |
Единица измерения |
IGBT-транзистор |
VGE(th) |
пороговое напряжение затвор-эмиттер |
VGE = VCE, IC = 24 мА |
5,2 |
5,8 |
6,4 |
В |
ICES |
коллекторно-эмиттерный ток отсечки при соединении затвора с эмиттером |
VGE = 0, VCE = VCES, Tj = 25 (125) °C |
|
0,2 |
0,6 |
мА |
VCE(TO) |
постоянное пороговое напряжение коллектор-эмиттер |
Tj = 25 (125) °C |
|
1 (0,9) |
1,2 (1,1) |
В |
rCE |
дифференциальное сопротивление открытого канала |
VGE = 15 V, Tj = 25 (125) °C |
|
1,7 (2,5) |
2,1 |
мОм |
VCE(sat) |
напряжение коллектор-эмиттер насыщения |
ICnom = 600 A, VGE = 15В, на уровне кристалла |
|
2 (2,45) |
2,45 (2,9) |
В |
|
Cies |
входная емкость |
при следующих условиях: VGE = 0, VCE = 25 В, f = 1 МГц |
|
53 |
|
нФ |
Coes |
выходная емкость |
|
3,5 |
|
нФ |
Cres |
обратная переходная емкость |
|
2,5 |
|
нФ |
LCE |
паразитная индуктивность коллектора-эмиттера |
|
20 |
|
нГн |
RCC'+EE' |
суммарное переходное сопротивление выводов коллектора и эмиттера |
температура выводов полупроводника Tc = 25 (125) °C |
|
0,18 (0,22) |
|
мОм |
|
td(on) |
длительность задержки включения |
VCC = 1200 В, ICnom = 600 A |
|
230 |
|
нс |
tr |
время нарастания |
RGon = RGoff = 3 Ом, Tj = 125 °C |
|
90 |
|
нс |
td(off) |
длительность задержки выключения |
VGE = ± 15В |
|
1030 |
|
нс |
tf |
время спада |
|
|
160 |
|
нс |
Eon (Eoff) |
рассеиваемая энергия в процессе включения (выключения) |
|
|
333 (245) |
|
мДж |
Обратный диод |
VF = VEC |
постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе |
IFnom = 600 A; VGE = 0В; Tj = 25 (125) °C |
|
1,6 (1,6) |
1,9 |
В |
V(TO) |
пороговое напряжение |
Tj = 125 () °C |
|
1,1 |
1,3 |
В |
rT |
дифференциальное сопротивление |
Tj = 125 () °C |
|
0,83 |
1 |
мОм |
IRRM |
максимальный ток обратного восстановления |
IFnom = 600 A; Tj = 125 ( ) °C |
|
(650) |
|
A |
Qrr |
заряд восстановления |
di/dt = 6400 A/мкс |
|
(230) |
|
мкКл |
Err |
рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение |
VGE = 0В |
|
(155) |
|
мДж |
Тепловые характеристики |
Rth(j-c) |
тепловое сопротивление переход-корпус |
для IGBT |
|
|
0,04 |
K/Вт |
Rth(j-c)D |
тепловое сопротивление переход-корпус |
для обратного диода |
|
|
0,07 |
K/Вт |
Rth(c-s) |
тепловое сопротивление переход-корпус |
для модуля |
|
|
0,038 |
K/Вт |
Механические данные |
Ms |
монтажный вращающий момент |
для крепления теплоотвода с резьбой M6 |
3 |
|
5 |
Н · м |
Mt |
монтажный вращающий момент |
для выводов с резьбой M5 |
2,5 |
|
5 |
Н · м |
w |
масса |
|
|
|
330 |
грамм |
- IC - ток коллектора;
- VGE - напряжение затвор-эмиттер;
- VCE - напряжение коллектор-эмиттер;
- Tj - температура перехода;
- ICnom - номинальный ток коллектора;
- VCC - напряжение питания коллектора-эмиттера;
- RGon (RGoff)- внешнее последовательное сопротивление с затвором во время включения (выключения);
- IFnom - номинальный прямой ток.
Внешний вид модулей семейства SEMITRANS4:
Схема модуля:
Расположение выводов:
Документация:
|
|
675 Kb Engl Описание модулей SKM800GA176D |
Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы Semikron, |
|
|