Поиск по сайту:

 

По базе:  
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > Semikron > IPM SKiiP 2,3

реклама
 




Мероприятия:




SKiiP1213GB123-2DL

Интеллектуальная силовая система SKiiP 3 с интегрированной схемой "2-pack"

Отличительные особенности:

  • Интегрирование технологии SKiiP
  • Tranch IGBT-транзисторы (пазовое исполнение затвора)
  • Диоды выполнены по высокоплотной технологии CAL
  • Встроенный датчик тока
  • Встроенный датчик температуры
  • Встроенный теплоотвод
  • Соответствие IEC 60721-3-3 (влажность) класс 3K3/IE32 (система SKiiP3)
  • Соответствие IEC 60068-1 (климатическое исполнение) 40/125/56
  • Сертификат лаборатории безопасности UL номер E63532

Отличительные особенности драйвера затвора:

  • КМОП-совместимые входы
  • Широкий диапазон питания
  • Встроенная схема для определения фазы тока, температуры теплоотвода и постоянного напряжения шины (опционально)
  • Защита от короткого замыкания
  • Защита от токовой перегрузки
  • Защита от перенапряжения (опционально)
  • Защита источника питания от снижения напряжения
  • Блокировка верхнего/нижнего ключа
  • Трансформаторная изоляция
  • Оптоволоконный интерфейс (опция только для GB-типов)
  • Соответствие IEC 60068-1 (климатическое исполнение) 40/85/56
  • Сертификат лаборатории безопасности UL номер 242581
Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
IGBT-транзистор
VCES напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером   1200 В
VCC рабочее постоянное напряжение   900 В
VGES напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером   ± 20 В
IC ток коллектора Tc = 25 (70) °C 1200 (900) А
Обратный диод
IF=-IC прямой ток, равный отрицательному току коллектору Tc = 25 (70) °C 930 (700) A
IFSM прямой максимальный ток перегрузки tимп = 10 мс; синусоидальная форма; Tj = 150 °C 6900 A
I2t значение I2t для диода tимп = 10 мс; Tj = 150 °C 238 кА2с
 
Tj (Tstg) температура перехода (температура хранения)   - 40 ... + 150 (125) °C
Visol напряжение испытания изоляции действующее значение переменного напряжения, 1 минута, между сетевыми выводами и теплоотводом 3000 B
IAC-terminal действующего значение тока силовой клеммы для одного вывода, Ts = 70 °C, Tterminal < 115 °C 400 A


Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики мин. ном. макс. Единица измерения
IGBT-транзистор инвертора
VCE(sat) напряжение коллектор-эмиттер насыщения IC = 600 A, Tj = 25 (125) °C   1,7 (1,9) 2,1 В
VGEO   Tj = 25 (125) °C; на выводе   0,9 (0,8) 1,1 (1) В
rCE дифференциальное сопротивление во включенном состоянии Tj = 25 (125) °C; на выводе   1,3 (1,8) 1,7 (2,2) мОм
ICES ток отсечки коллектора-эмиттера с закороченным затвором и эмиттером VGE = 0, VCE = VCES, Tj = 25 (125) °C   2,4 (72)   мА
Eon + Eoff Рассеиваемая энергия в процессе включения и выключения IC = 600 A, VCC = 600 В,
Tj = 125 °C, VCC = 900В		   221
390		   мДж
 
RCC'+EE' сопротивление клемма-кристалл Tj = 25 °C   0,25   мОм
LCE индуктивность коллектора-эмиттера верхний, нижний транзистор   6   нГн
CCHC емкость кристалл-корпус для одной фазы, на стороне переменного напряжения   3,4   нФ
Обратный диод
VF = VEC постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе IF = 600 A; Tj = 25 (125) °C   1,5 (1,5) 1,8 В
V(TO) пороговое напряжение Tj = 25 (125) °C   0,9 (0,7) 1,1 (0,9) В
rT прямое дифференциальное сопротивление Tj = 25 (125) °C   1 (1,3) 1,1 (1,5) мОм
Err рассеиваемая энергия в процессе обратного восстановления IC = 600 A, VCC = 600 В
Tj = 125 °C, VCC = 900В		   42
56		   мДж
мДж
Механические данные
Mdc монтажный вращающий момент клеммы постоянного тока 6   8 Н · м
Mac монтажный вращающий момент клеммы переменного тока 13   15 Н · м
w масса системы SKiiP 3 без теплоотвода     1,7   кг
w масса теплоотвода     5,4   кг
Тепловые характеристики (NWK 40; 8I/min; 50%glyc.); "s" указывает не теплоотвод; "r" - на встроенный датчик температуры (в соответствии с IEC 60747-15)
Rth(j-s)I тепловое сопротивление для одного IGBT     0,03 К/Вт
Rth(j-s)D тепловое сопротивление для одного диода     0,058 К/Вт
 
Zth переходное тепловое сопротивление Ri (мК/Вт) (макс. значения) taui(s)
   
1 2 3 4
1 2 3 4
Zth(j-r)I  
9,8 16,4 3,8 0
0,37 0,06 0,01 1
Zth(j-r)D  
10 24 24 36
50 5 0,25 0,04
Zth(r-a)  
4,3 20,3 7,1 2,3
160 53 9 0,4


Предельно-допустимые характеристики драйвера
(если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
 
VS2 нестабилизированное напряжение питания 24В   30 B
Vi напряжение входного сигнала высокий уровень 15+0,3 B
 
dv/dt скорость нарастания напряжения от вторичной к первичной стороне 75 кВ/мкс
VisolIO испытательное напряжение изоляции вход/выход (перем. напр., действ. значение, 2 сек.) 3000 B
VisolPD напряжение исчезновения частичного разряда, действ.знач. QPD 10 пКл 1170 B
Visol12 испытательное напряжение изоляции выход 1/выход 2 (перем. напр., действ. знач., 2 сек.) 1500 B
fsw частота коммутации   15 кГц
fout выходная частота для Ipeak(1)=IC   1 кГц
Top (Tstg) рабочая температура/температура хранения   - 40...+ 85 °C


Рабочие характеристики драйвера
(если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики мин. ном. макс. Единица измерения
 
VS2 нестабилизированное напряжение питания   13 24 30 В
IS2 потребляемый ток VS2 = 24В 278+20*f/кГц+0,00022*(IAC/A)2 мА
ViT+ входное пороговое напряжение высокого уровня       12,3 В
ViT- входное пороговое напряжение низкого уровня   4,6     В
RIN входное сопротивление     10   кОм
CIN входная емкость     1   нФ
td(on)IO задержка распространения вход-выход сигнала включения     1,3   мкс
td(off)IO задержка распространения вход-выход сигнала выключения     1,3   мкс
tpERRRESET время сброса запоминания ошибки     9   мкс
tTD время блокирования верхнего/нижнего ключа     3,3   мкс
IanalogOUT   макс. 5 мА; 8В соотв. напряжению питания 15 В внешних компонентов   1200   A
Is1out макс. ток нагрузки       50 мA
ITRIPSC порог срабатывания защиты от токовой перегрузки IanalogВЫХ. = 10 В   1500   A
Ttp порог срабатывания защиты от перегрева   110   120 °C
UDCTRIP защита от снижения пост. напряжения Uanalog ВЫХ = 9В; опция для GB-типов не реализовано B

Внешний вид модулей SKiiP1213GB123-2DL:

Внешний вид модулей SKiiP1213GB123-2DL

Схема модуля SKiiP1213GB123-2DL:

Схема модуля SKiiP1213GB123-2DL

Документация:

  94 Kb Engl Описание модулей
    Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы Semikron,

поставщики электронных компонентов





 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (995) 900 6254. e-mail:info@eust.ru
©1998-2023 Рынок Микроэлектроники