SKiiP432GB120-2D
Интеллектуальная силовая система SKiiP 2 с интегрированной схемой "2-pack"
Отличительные особенности:
- Интегрирование технологии SKiiP
- Диоды выполнены по высокоплотной технологии CAL
- Встроенный датчик тока
- Встроенный датчик температуры
- Встроенный теплоотвод
- Соответствие IEC 60721-3-3 (влажность) класс 3K3/IE32 (система SKiiP3)
- Соответствие IEC 60068-1 (климатическое исполнение) 40/125/56
- Сертификат лаборатории безопасности UL номер E63532
Отличительные особенности драйвера затвора:
- КМОП-совместимые входы
- Широкий диапазон питания
- Встроенная схема для определения фазы тока, температуры теплоотвода и постоянного напряжения шины (опционально)
- Защита от короткого замыкания
- Защита от токовой перегрузки
- Защита от перенапряжения (опционально)
- Защита источника питания от снижения напряжения
- Блокировка верхнего/нижнего ключа
- Трансформаторная изоляция
- Оптоволоконный интерфейс (опция только для GB-типов)
- Соответствие IEC 60068-1 (климатическое исполнение) 40/85/56
- Сертификат лаборатории безопасности UL номер 242581
| Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C) |
| Обозначение |
Наименование |
Условия снятия характеристики |
Значение |
Единица измерения |
| IGBT-транзистор |
| VCES |
напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером |
|
1200 |
В |
| VCC |
рабочее постоянное напряжение |
|
900 |
В |
| VGES |
напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером |
|
± 20 |
В |
| IC |
ток коллектора |
Tc = 25 (70) °C |
400 (300) |
А |
| Обратный диод |
| IF=-IC |
прямой ток, равный отрицательному току коллектору |
Tc = 25 (70) °C |
400 (300) |
A |
| IFSM |
прямой максимальный ток перегрузки |
tимп = 10 мс; синусоидальная форма; Tj = 150 °C |
2880 |
A |
| I2t |
значение I2t для диода |
tимп = 10 мс; Tj = 150 °C |
41 |
кА2с |
| |
| Tj (Tstg) |
температура перехода (температура хранения) |
|
- 40 (-25)... + 150 (125) |
°C |
| Visol |
напряжение испытания изоляции |
действующее значение переменного напряжения, 1 минута, между сетевыми выводами и теплоотводом |
3000 |
B |
| Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C) |
| Обозначение |
Наименование |
Условия снятия характеристики |
мин. |
ном. |
макс. |
Единица измерения |
| IGBT-транзистор инвертора |
| VCE(sat) |
напряжение коллектор-эмиттер насыщения |
IC = 350 A, Tj = 25 (125) °C |
|
2,6 (3,1) |
3,1 |
В |
| VGEO |
|
Tj = 25 (125) °C; на выводе |
|
1,2 (1,3) |
1,5 (1,6) |
В |
| rCE |
дифференциальное сопротивление во включенном состоянии |
Tj = 25 (125) °C; на выводе |
|
3,8 (5) |
4,5 (5,8) |
мОм |
| ICES |
ток отсечки коллектора-эмиттера с закороченным затвором и эмиттером |
VGE = 0, VCE = VCES, Tj = 25 (125) °C |
|
(20) |
0,8 |
мА |
| Eon + Eoff |
Рассеиваемая энергия в процессе включения и выключения |
IC = 350 A, VCC = 600 В,
Tj = 125 °C, VCC = 900В |
|
105
185 |
|
мДж |
| |
| RCC'+EE' |
сопротивление клемма-кристалл |
Tj = 25 °C |
|
0,25 |
|
мОм |
| LCE |
индуктивность коллектора-эмиттера |
верхний, нижний транзистор |
|
7,5 |
|
нГн |
| CCHC |
емкость кристалл-корпус |
для одной фазы, на стороне переменного напряжения |
|
2,8 |
|
нФ |
| Обратный диод |
| VF = VEC |
постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе |
IF = 350 A; Tj = 25 (125) °C |
|
2,1 (2) |
2,6 |
В |
| V(TO) |
пороговое напряжение |
Tj = 25 (125) °C |
|
1,3 (1) |
1,4 (1,1) |
В |
| rT |
прямое дифференциальное сопротивление |
Tj = 25 (125) °C |
|
2,5 (3) |
3,4 (3,9) |
мОм |
| Err |
рассеиваемая энергия в процессе обратного восстановления |
IC = 350 A, VCC = 600 В
Tj = 125 °C, VCC = 900В |
|
|
12
15 |
мДж
мДж |
| Механические данные |
| Mdc |
монтажный вращающий момент |
клеммы постоянного тока |
6 |
|
8 |
Н · м |
| Mac |
монтажный вращающий момент |
клеммы переменного тока |
13 |
|
15 |
Н · м |
| w |
масса системы SKiiP 3 без теплоотвода |
|
|
1,9 |
|
кг |
| w |
масса теплоотвода |
|
|
4,7 |
|
кг |
| Тепловые характеристики (теплоотвод P16; 295 м3/ч); "s" указывает не теплоотвод; "r" - на встроенный датчик температуры |
| Rth(j-s)I |
тепловое сопротивление |
для одного IGBT |
|
|
0,064 |
К/Вт |
| Rth(j-s)D |
тепловое сопротивление |
для одного диода |
|
|
0,188 |
К/Вт |
| Rth(s-a) |
тепловое сопротивление корпус-окр.среда |
для модуля |
|
|
0,043 |
К/Вт |
| |
| Zth |
переходное тепловое сопротивление |
Ri (мК/Вт) (макс. значения) |
taui(s) |
| |
|
|
|
| Zth(j-r)I |
|
|
|
| Zth(j-r)D |
|
|
|
| Zth(r-a) |
|
|
|
Предельно-допустимые характеристики драйвера
(если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C) |
| Обозначение |
Наименование |
Условия снятия характеристики |
Значение |
Единица измерения |
| |
| VS1 |
нестабилизированное напряжение питания 15В |
|
18 |
B |
| VS2 |
нестабилизированное напряжение питания 24В |
|
30 |
B |
| Vi |
напряжение входного сигнала |
высокий уровень |
15+0,3 |
B |
| |
| dv/dt |
скорость нарастания напряжения |
от вторичной к первичной стороне |
75 |
кВ/мкс |
| VisolIO |
испытательное напряжение изоляции |
вход/выход (перем. напр., действ. значение, 2 сек.) |
3000 |
B |
| Visol12 |
испытательное напряжение изоляции |
выход 1/выход 2 (перем. напр., действ. знач., 2 сек.) |
1500 |
B |
| fsw |
частота коммутации |
|
20 |
кГц |
| fout |
выходная частота для Ipeak(1)=IC |
|
1 |
кГц |
| Top (Tstg) |
рабочая температура/температура хранения |
|
- 40...+ 85 |
°C |
Рабочие характеристики драйвера
(если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C) |
| Обозначение |
Наименование |
Условия снятия характеристики |
мин. |
ном. |
макс. |
Единица измерения |
| |
| VS1 |
нестабилизированное напряжение питания 15В |
|
14,4 |
15 |
15,6 |
В |
| VS2 |
нестабилизированное напряжение питания 24В |
|
20 |
24 |
30 |
В |
| IS1 |
потребляемый ток |
VS2 = 15В |
210+320*f/fmax+1,2*(IAC/A) |
мА |
| IS2 |
потребляемый ток |
VS2 = 24В |
160+120*f/fmax+0,85*(IAC/A) |
мА |
| ViT+ |
входное пороговое напряжение высокого уровня |
|
|
|
12,3 |
В |
| ViT- |
входное пороговое напряжение низкого уровня |
|
4,6 |
|
|
В |
| RIN |
входное сопротивление |
|
|
10 |
|
кОм |
| td(on)IO |
задержка распространения вход-выход сигнала включения |
|
|
1,5 |
|
мкс |
| td(off)IO |
задержка распространения вход-выход сигнала выключения |
|
|
1,4 |
|
мкс |
| tpERRRESET |
время сброса запоминания ошибки |
|
9 |
|
|
мкс |
| tTD |
время блокирования верхнего/нижнего ключа |
|
|
3,3 |
|
мкс |
| IanalogOUT |
|
8В соотв. напряжению питания 15 В внешних компонентов |
|
400 |
|
A |
| Is1out |
макс. ток нагрузки |
(доступен при наличии питания 24В) |
|
|
50 |
мA |
| IA0max |
вых. ток на выводе 12/14 |
|
|
5 |
|
A |
| VOI |
выходное напряжение низкого уровня |
|
|
|
0,6 |
В |
| VOH |
выходное напряжение высокого уровня |
|
|
|
30 |
В |
| ITRIPSC |
порог срабатывания защиты от токовой перегрузки |
IanalogВЫХ. = 10 В |
|
500 |
|
A |
| ITRIPLG |
защита от потери земли |
|
|
|
|
A |
| Ttp |
порог срабатывания защиты от перегрева |
|
110 |
|
120 |
°C |
| UDCTRIP |
защита от снижения пост. напряжения |
Uanalog ВЫХ = 9В; опционально |
900 |
|
|
B |
Внешний вид модулей SKiiP432GB120-2D:
Схема модуля SKiiP432GB120-2D:
Документация:
| |
 |
63 Kb Engl Описание модулей |
| Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы Semikron, |
|
|
