Поиск по сайту:

 

По базе:  
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > ЖКИ > Драйвера > SED1520

реклама
 




Мероприятия:




5.0 Электрические характеристики.

5.1 Максимальные рабочие диапазоны.

Параметр Обозначение Диапазон Единица измерения
Напряжение питания (1) VSS -8.0 ~ +0.3 В
Напряжение питания (2) V5 -16.5 ~ +0.3 В
Напряжение питания (3) V1,V4,V2,V3 V5 ~ +0.3 В
Входное напряжение VIN VSS –0.3 ~ +0.3 В
Выходное напряжение V0 VSS –0.3 ~ +0.3 В
Допустимые потери PD 250 мВт
Рабочая температура TOPR -30 ~ +85 °C
Температура хранения TSTG -65 ~ +150 °C
Температура пайки/время TSOLDER 260 / 10 (на выводе) °C/сек

Примечания:

  1. Все напряжения базируются на VDD = 0В.
  2. Следующие условия должны всегда выполняться в отношении напряжений V1, V2, V3, V4 и V5:
        VDD > V1 > V2 > V3 > V4 > V5
  3. БИС может быть окончательно выведена из строя при использовании с каким-либо параметром выходящим за пределы максимального рабочего диапазона. В нормальном режиме предпочтительно, чтобы БИС использовалась с рекомендованными электрическими характеристиками. Отход от них может вызвать неисправность БИС или снижение её надёжности.
  4. Вообще, плоский корпус БИС может снизить влагоустойчивость при погружении в припой. При монтаже БИС на плату, рекомендуется использовать метод, при котором наименее вероятен тепловой удар по смоле корпуса.

5.2 Статические характеристики

VDD = 0В, Ta = от -20 до 75°C
Параметр Обозначение Условие Мин. Тип. Макс. Единица измерения Применимо к выводам
Рабочее напряжение Рекомендуемое VSS *1 –5.5 –5.0 –4.5 В VSS
Допустимое –7.0 — –2.4
Рабочее напряжение Рекомендуемое V5   –13.0 — –3.5 В V5 *10
Допустимое   –13.0 — —
Допустимое V1, V2   0.6 x V5 — VDD V1, V2
Допустимое V3, V4   V5 — 0.4 x V5 V3, V4
VIHT   VSS + 2.0 — VDD В *2
*3
VIHC   0.2 x VSS  — VDD
VILT   VSS — VSS + 0.8 В *2
*3
VILC   VSS  — 0.8 x VSS
VOHT IOH = –3.0 мА VSS + 2.4 — - В *4
*5
OSC2
VVOHC1 IOH = –2.0 мА VSS + 2.4 — –
VVOHC2 IOH = –120 мкА 0.2 x VSS  — –
VOLT IOH = 3.0 мА — – VSS + 2.4 В *4
*5
OSC2
VOLC1 IOH = 3.0 мА — – VSS + 0.4
VOLC2 IOH = 120 мкА — – 0.8 x VSS 
Ток утечки на входе ILI –1.0 — 1.0 мкА *6
Ток утечки на выходе ILO –3.0 — 3.0 мкА *7
RON Ta = 25°C V5 = –5.0В — 5.0 7.5 кОм SEG0 ~ 79
COM0 ~ 15
*11
V5 = –3.5В — 10.0 50.0
Потери по постоянному току IDDQ CS = CL = VDD — 0.05 1.0 мкА VDD
IDD (1) В процессе отображения V5 = –5.0В fCL = 2 кГц — 2.0 5.0 мкА VDD
*12
*13
*14
RF = 1 МОм — 9.5 15.0
fCL = 18 кГц — 5.0 10.0
IDD (2) Во время доступа tCYC = 200 кГц — 300 500 мкА *8
Ёмкость входного вывода CIN Ta = 25°C, f = 1 МГц — 5.0 8.0 пФ Все входные выводы
Частота генератора fOSC Rf = 1.0 МОм ± 2%
VSS = –5.0 В		 15 18 21 кГц *9
Rf = 1.0 МОм ± 2%
VSS = –3.0 В		 11 16 21
Время сброса tR   1.0 — 1000 мкс RES

Примечания:

  1. Гарантируется работа в широком диапазоне напряжений, за исключением скачков напряжения во время доступа.
  2. Выводы A0, D0 – D7, E (RD), R/W (WR) и CS.
  3. Выводы CL, FR, M/S и RES.
  4. Выводы D0 – D7.
  5. Вывод FR.
  6. Выводы A0, E (RD), R/W (WR), CS, CL и RES.
  7. Применимо, когда выводы D0 – D7 и FR в высокоимпедансном состоянии.
  8. Эта величина является потреблением тока при записи изображения вертикальных полос в течение tCYC. Потребление тока во время доступа почти пропорционально частоте доступа (tCYC). Когда доступ не производится, потребляется только IDD (1).
  9. Соотношение между тактовой частотой, частотой кадров и Rf (см. Рисунки 5.1 – 5.3).
  10. Диапазоны рабочих напряжений VSS и V5 (см. Рисунок 5.4).
  11. Сопротивление при напряжении 0.1В, приложенным между выходным выводом (SEG, COM) и каждым выводом питания (V1,V2, V3, V4). Оно определено для рабочего диапазона напряжения.
  12. 13, 14. Ток, потребляемый каждой отдельной микросхемой, исключая панель ЖКИ и емкость монтажа.
  13. Применимо к SED1520FAA и SED1521FAA.
  14. Применимо к SED1520F0A.
  15. Применимо к SED1521F0A.


Рисунок 5.1 Соотношение между тактовой частотой и Rf


Рисунок 5.2 Соотношение между частотой кадров и Rf


Рисунок 5.3 Соотношение между частотой внешнего тактирования (fCL) и частотой кадров (SED1520FAA).


Рисунок 5.4 Диапазоны рабочих напряжений VSS и V5.

5.3 Временные характеристики

5.3.1 Чтение/Запись системной шины I (семейство микропроцессоров 80)

Ta = от -20 до 75°C, VSS = -5.0В ±10%
Параметр Обозначение Сигнал Условие Мин. Тип. Макс. Единица
измерения
Длительность удержания адреса tAH8 A0, CS   10 — — нс
Длительность выставки адреса tAW8 20 — — нс
Длительность системного цикла tCYC8 WR, RD 1000 — — нс
Ширина импульса управления tCC 200 — — нс
Длительность выставки данных tDS8 D0 – D7 80 — — нс
Длительность удержания данных tDH8 10 — — нс
Длительность доступа RD tACC8 CL = 100 пФ — — 90 нс
Длительность запрета выхода tOH8 10 — 60 нс

  1. Каждое из значений при VSS = –3.0В составляет около 200% от этих значений при VSS = –5.0В (т.е. приведённых выше).
  2. Длительность фронта или спада входных сигналов должна быть менее 15 нс.


Рисунок 5.5 Чтение/Запись системной шины I (семейство микропроцессоров 80).

5.3.2 Чтение/Запись системной шины II (семейство микропроцессоров 68)

Ta = от -20 до 75°C, VSS = -5.0В ±10%
Параметр Обозначение Сигнал Условие Мин. Тип. Макс. Единица
измерения
Длительность системного цикла tCYC6*1 A0, CS   1000 — — нс
Длительность выставки адреса tAW6 R/W 20 — — нс
Длительность удержания адреса tAH6 10 — — нс
Длительность выставки данных tDS6 D0 – D7 80 — — нс
Длительность удержания данных tDH6 10 — — нс
Длительность запрета выхода tOH6 CL = 100 пФ 10 — 90 нс
Длительность доступа tACC6 — — 60 нс
Ширина импульса разрешения: Чтение tEW E   100 — — нс
Ширина импульса разрешения: Запись 80 — — нс

  1. tCYC6 обозначает длительность цикла в течение которого CS · E = "H". Он не обозначает длительность цикла сигнала E.
  2. Каждое из значений при VSS = –3.0В составляет около 200% от этих значений при VSS = –5.0В (т.е. приведённых выше).
  3. Длительность фронта или спада входных сигналов должна быть менее 15 нс.


Рисунок 5.6 Чтение/Запись системной шины II (семейство микропроцессоров 68).


5.3.3 Временные характеристики управления изображением

Входные временные характеристики

Ta = от -20 до 75°C, VSS = -5.0В ±10%
Параметр Обозначение Сигнал Условие Мин. Тип. Макс. Единица
измерения
Ширина импульса низкого уровня tWLCL CL   35 — — мкс
Ширина импульса высокого уровня tWHCL 35 — — мкс
Длительность фронта tr — 30 150 нс
Длительность спада tf — 30 150 нс
Длительность задержки FR tDFR FR -2.0 0.2 2.0 мкс

Выходные временные характеристики

Ta = от -20 до 75°C, VSS = -5.0В ±10%
Параметр Обозначение Сигнал Условие Мин. Тип. Макс. Единица
измерения
Длительность задержки FR tDFR FR CL = 100 pF — 0.2 0.4 мкс

  1. Приведённая длительность задержки входного сигнала FR применима к SED1521 или 1520 (ведомое устройство).
  2. Приведённая длительность задержки выходного сигнала FR применима к SED1520 (ведущее устройство).
  3. Каждое из значений при VSS = –3.0В составляет около 200% от этих значений при VSS = –5.0В (т.е. приведённых выше).


Рисунок 5.7 Временная диаграмма управления отображением.


 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (995) 900 6254. e-mail:info@eust.ru
©1998-2023 Рынок Микроэлектроники